Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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VS-3C10CP12L-M3

VS-3C10CP12L-M3

10A 1200V SIC ZERO QRR DUAL TJMA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
RFQ
VS-3C10CP12L-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
SCS205KNHRTRL

SCS205KNHRTRL

1200V 5A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

200
RFQ
SCS205KNHRTRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
BSDV10G120E2

BSDV10G120E2

DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2

Bourns Inc.

2,994
RFQ
BSDV10G120E2Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
SCS310AGC16

SCS310AGC16

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
SCS310AGC16Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
PCDG10120GB_L2_00601

PCDG10120GB_L2_00601

SIC DIODE 1200V/10A IN TO-252AA

Panjit International Inc.

6,000
RFQ
PCDG10120GB_L2_00601Datenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
SDS065J016H3-ISATH

SDS065J016H3-ISATH

DIODE 650V-16A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J016H3-ISATHDatenblatt Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 44A 1.5 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 48 µA @ 650 V 837pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
IDWD120E120D7XKSA1

IDWD120E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 177A TO247

Infineon Technologies

129
RFQ
IDWD120E120D7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 177A 3 V @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 215 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SIT20C065

SIT20C065

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

Diotec Semiconductor

970
RFQ
SIT20C065Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
SDS120J010E3-ISARH

SDS120J010E3-ISARH

DIODE 1200V-10A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010E3-ISARHDatenblatt Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
VS-90EPF12L-M3

VS-90EPF12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

466
RFQ
VS-90EPF12L-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.38 V @ 90 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
PCDF0865G1_T0_00601

PCDF0865G1_T0_00601

650V/8A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDF0865G1_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSH3065B

FFSH3065B

DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2

onsemi

326
RFQ
FFSH3065BDatenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 37A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1260pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
SDS065J020D3-ISARH

SDS065J020D3-ISARH

DIODE 650V-20A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J020D3-ISARHDatenblatt Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A 1.5 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1018pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
PCDP0865GB_T0_00601

PCDP0865GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP0865GB_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 372pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
PCDP1065GC_T0_00601

PCDP1065GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,961
RFQ
PCDP1065GC_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 271pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
PSC1665JJ

PSC1665JJ

SIC DIODES AND FETS

Nexperia USA Inc.

800
RFQ
PSC1665JJDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 475pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK R2P -55°C ~ 175°C
PCDD1065GB_L2_00601

PCDD1065GB_L2_00601

650V/10A IN TO-252AA PACKAGE SIL

Panjit International Inc.

3,000
RFQ
PCDD1065GB_L2_00601Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 610pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
VS-30EPF10-M3

VS-30EPF10-M3

DIODE GP 1KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

326
RFQ
VS-30EPF10-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
JAN1N5809

JAN1N5809

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Microchip Technology

117
RFQ
JAN1N5809Datenblatt - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 6A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
FFSP15120A

FFSP15120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220L

onsemi

574
RFQ
FFSP15120ADatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.75 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 936pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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