Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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PSDH60120S1_T0_00001

PSDH60120S1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

3,904
RFQ
PSDH60120S1_T0_00001Datenblatt - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 1200 V 60A 3.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 255 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
PSDH6060S1_T0_00001

PSDH6060S1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

1,347
RFQ
PSDH6060S1_T0_00001Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
IDWD40E65E7XKSA1

IDWD40E65E7XKSA1

HOME APPLIANCES 14

Infineon Technologies

168
RFQ
IDWD40E65E7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 50A 2.1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 89 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-3C05ET12T-M3

VS-3C05ET12T-M3

5A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJM

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

939
RFQ
VS-3C05ET12T-M3Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
JAN1N5615

JAN1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

853
RFQ
JAN1N5615Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
MUR60120BH-BP

MUR60120BH-BP

SUPERFAST RECTIFIERS 1200V 60A,

Micro Commercial Co

1,800
RFQ
MUR60120BH-BPDatenblatt - TO-247-2 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 5 µA @ 1200 V 250pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-ETU3006STRLHM3

VS-ETU3006STRLHM3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

208
RFQ
VS-ETU3006STRLHM3Datenblatt FRED Pt® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 175°C
SDS065J010S3-ISBRH

SDS065J010S3-ISBRH

DIODE 650V-10A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010S3-ISBRHDatenblatt - 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active - 650 V 10A - - - - - - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -
FFSM1065B

FFSM1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN

onsemi

4,519
RFQ
FFSM1065BDatenblatt - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
IDWD50E65E7XKSA1

IDWD50E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2

Infineon Technologies

220
RFQ
IDWD50E65E7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 92A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 94 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
S5D05170H

S5D05170H

1700V, 5A, TO-247AC, SIC SCHOTTK

SMC Diode Solutions

121
RFQ
S5D05170HDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Schottky 1700 V 22A 1.8 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1700 V 497pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
IDWD60E120D7XKSA1

IDWD60E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 94A TO247-2

Infineon Technologies

192
RFQ
IDWD60E120D7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 94A 3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 175 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
E6D10065A

E6D10065A

SIC, SCHOTTKY DIODE

Wolfspeed, Inc.

985
RFQ
E6D10065ADatenblatt E TO-220-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 630pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D08060G-TR

C3D08060G-TR

DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

780
RFQ
C3D08060G-TRDatenblatt Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 600 V 26pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
PCDF0665G1_T0_00601

PCDF0665G1_T0_00601

650V/6A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDF0665G1_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 232pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
PGR9016PT_T0_00301

PGR9016PT_T0_00301

STANDARD REVERSE RECOVERY POWER

Panjit International Inc.

2,100
RFQ
PGR9016PT_T0_00301Datenblatt - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
TSCDT10065G1

TSCDT10065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

2,986
RFQ
TSCDT10065G1Datenblatt - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 45pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
TSCDF10065G1

TSCDF10065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 10A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

986
RFQ
TSCDF10065G1Datenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 45pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-HFA08PB60-N3

VS-HFA08PB60-N3

DIODE GP 600V 8A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

250
RFQ
VS-HFA08PB60-N3Datenblatt HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
PCDD0665GB_L2_00601

PCDD0665GB_L2_00601

650V/6A IN TO-252AA PACKAGE SILI

Panjit International Inc.

3,000
RFQ
PCDD0665GB_L2_00601Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.6 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 373pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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