Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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RFUH20TJ6SFHGC9

RFUH20TJ6SFHGC9

SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFUH

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
RFUH20TJ6SFHGC9Datenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 2.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 220 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
TRS12V65H,LQ

TRS12V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

4,472
RFQ
TRS12V65H,LQDatenblatt - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
SDS120J005C3-ISATH

SDS120J005C3-ISATH

DIODE 1200V-5A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J005C3-ISATHDatenblatt Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-3C10EV07T-M3/I

VS-3C10EV07T-M3/I

SIC-G3-SLIMDPAK 2L

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,391
RFQ
VS-3C10EV07T-M3/IDatenblatt eSMP® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 650 V 445pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SlimDPAK -55°C ~ 175°C
S6D20065A

S6D20065A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

250
RFQ
S6D20065ADatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 61A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S3D15065I

S3D15065I

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

990
RFQ
S3D15065IDatenblatt - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
SDS065J010D3-ISARH

SDS065J010D3-ISARH

DIODE 650V-10A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010D3-ISARHDatenblatt Sanan TO263 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
S3D15065H

S3D15065H

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

300
RFQ
S3D15065HDatenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
TRS12E65H,S1Q

TRS12E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

370
RFQ
TRS12E65H,S1QDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
BSDD10G65E2

BSDD10G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

9,660
RFQ
BSDD10G65E2Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 323pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
IDWD50E120D7XKSA1

IDWD50E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 81A TO247-2

Infineon Technologies

230
RFQ
IDWD50E120D7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 81A 3 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 160 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SDS065J010C3-ISATH

SDS065J010C3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

290
RFQ
SDS065J010C3-ISATHDatenblatt Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
SDS120J010C3-ISATH

SDS120J010C3-ISATH

DIODE 1200V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010C3-ISATHDatenblatt Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSB0665A

FFSB0665A

DIODE SIL CARB 650V 9A D2PAK-3

onsemi

800
RFQ
FFSB0665ADatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP2065B

FFSP2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220

onsemi

397
RFQ
FFSP2065BDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.5A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
SDS065J010E3-ISARH

SDS065J010E3-ISARH

DIODE 650V-10A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010E3-ISARHDatenblatt Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
BSDH10G120E2

BSDH10G120E2

DIODE SIC 1200V 10A TO220-2

Bourns Inc.

2,929
RFQ
BSDH10G120E2Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
PCDP0465GB_T0_00601

PCDP0465GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,931
RFQ
PCDP0465GB_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2

Infineon Technologies

959
RFQ
IDK08G65C5XTMA2Datenblatt CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 250pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
FFSD1065B-F085

FFSD1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

1,968
RFQ
FFSD1065B-F085Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

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Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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