Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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CRU24730-600 SL

CRU24730-600 SL

RECTIFIER-ULTRA FAST <100

Central Semiconductor Corp

1,440
RFQ
CRU24730-600 SLDatenblatt - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
MBR30170MFST3G

MBR30170MFST3G

DIODE SCHOTTKY 170V 30A 5DFN

onsemi

5,000
RFQ
MBR30170MFST3GDatenblatt - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 170 V 30A 890 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 170 V 821pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
TRS6V65H,LQ

TRS6V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

4,803
RFQ
TRS6V65H,LQDatenblatt - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.35 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 392pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
FESF16JTHE3_A/P

FESF16JTHE3_A/P

DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,995
RFQ
FESF16JTHE3_A/PDatenblatt - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 16A 1.5 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -65°C ~ 150°C
SF3006PT

SF3006PT

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD

Taiwan Semiconductor Corporation

806
RFQ
SF3006PTDatenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 30A 1.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 400 V 175pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD (TO-3P) -55°C ~ 150°C
YQ30NL10SETL

YQ30NL10SETL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A,

Rohm Semiconductor

990
RFQ
YQ30NL10SETLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 30A 860 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 100 V - - - Surface Mount TO-263L 150°C
VS-EPH3007L-N3

VS-EPH3007L-N3

DIODE GEN PURP 650V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

390
RFQ
VS-EPH3007L-N3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 37 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-EPU3006LHN3

VS-EPU3006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

499
RFQ
VS-EPU3006LHN3Datenblatt FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
TRS6E65H,S1Q

TRS6E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

194
RFQ
TRS6E65H,S1QDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.35 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 392pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
BSDH08G65E2

BSDH08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2

Bourns Inc.

3,000
RFQ
BSDH08G65E2Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-25ETS08S-M3

VS-25ETS08S-M3

DIODE GEN PURP 800V 25A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,049
RFQ
VS-25ETS08S-M3Datenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 800 V 25A 1.14 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
SDS065J006D3-ISARH

SDS065J006D3-ISARH

DIODE 650V-6A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006D3-ISARHDatenblatt Sanan TO263 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
VS-20ETF06STRL-M3

VS-20ETF06STRL-M3

DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,202
RFQ
VS-20ETF06STRL-M3Datenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
IDW50E60FKSA1

IDW50E60FKSA1

DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3

Infineon Technologies

240
RFQ
IDW50E60FKSA1Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 80A 2 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
FFSB0665B

FFSB0665B

DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

onsemi

712
RFQ
FFSB0665BDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
SDS065J010N3-ISATH

SDS065J010N3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220N-2L

Luminus Devices Inc.

290
RFQ
SDS065J010N3-ISATHDatenblatt Sanan TO220N TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 26A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220N-2L -55°C ~ 175°C
BSDD06G65E2

BSDD06G65E2

DIODE SIC 650V 6A TO252

Bourns Inc.

4,963
RFQ
BSDD06G65E2Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 650 V 201pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SDS065J006C3-ISATH

SDS065J006C3-ISATH

DIODE 650V-6A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006C3-ISATHDatenblatt Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-8EWS12STRL-M3

VS-8EWS12STRL-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,900
RFQ
VS-8EWS12STRL-M3Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
SDS065J006E3-ISARH

SDS065J006E3-ISARH

DIODE 650V-6A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006E3-ISARHDatenblatt Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

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Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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