Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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1N3600UR/TR

1N3600UR/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

177
RFQ
1N3600UR/TRDatenblatt - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
FFSB1065A

FFSB1065A

DIODE SCHOTTKY 650V 14A D2PAK-3

onsemi

800
RFQ
FFSB1065ADatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 14A 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-65EPF12L-M3

VS-65EPF12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

480
RFQ
VS-65EPF12L-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.42 V @ 65 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
PCDP0665GB_T0_00601

PCDP0665GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP0665GB_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.6 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 271pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
C3D10060G-TR

C3D10060G-TR

DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

523
RFQ
C3D10060G-TRDatenblatt Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 29A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
VS-3C10EP12L-M3

VS-3C10EP12L-M3

10A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
RFQ
VS-3C10EP12L-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 60 µA @ 1200 V 38pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
TSCDT12065G1

TSCDT12065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

990
RFQ
TSCDT12065G1Datenblatt - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 55.3pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
TSCDF12065G1

TSCDF12065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 12A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
TSCDF12065G1Datenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 55.3pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
E6D10065G

E6D10065G

WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE

Wolfspeed, Inc.

1,000
RFQ
E6D10065GDatenblatt E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 630pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
SCS210ANHRTRL

SCS210ANHRTRL

650V, 10A, SMD, SILICON-CARBIDE

Rohm Semiconductor

870
RFQ
SCS210ANHRTRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.55 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 360pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPDS 175°C
IDWD100E120D7XKSA1

IDWD100E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 146A TO247

Infineon Technologies

224
RFQ
IDWD100E120D7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 146A 3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 205 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
C6D10065E-TR

C6D10065E-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,

Wolfspeed, Inc.

4,750
RFQ
C6D10065E-TRDatenblatt Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C3D10065E-TR

C3D10065E-TR

DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

2,050
RFQ
C3D10065E-TRDatenblatt Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 460.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
PCDD0865GB_L2_00601

PCDD0865GB_L2_00601

650V/8A IN TO-252AA PACKAGE SILI

Panjit International Inc.

2,990
RFQ
PCDD0865GB_L2_00601Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 527pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
IDWD100E65E7XKSA1

IDWD100E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2

Infineon Technologies

232
RFQ
IDWD100E65E7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 150A 2.1 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 98 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-90EPS08L-M3

VS-90EPS08L-M3

DIODE GEN PURP 800V 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

465
RFQ
VS-90EPS08L-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 800 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
IDFW40E65D1EXKSA1

IDFW40E65D1EXKSA1

DIODE GP 650V 42A TO247-3-AI

Infineon Technologies

210
RFQ
IDFW40E65D1EXKSA1Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 42A 2.1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 76 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3-AI -40°C ~ 175°C
SCS310AMC7G

SCS310AMC7G

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
SCS310AMC7GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C
SCS212ANHRTRL

SCS212ANHRTRL

650V 12A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
SCS212ANHRTRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.55 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V 440pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
FFSP3065B-F085

FFSP3065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

onsemi

1,600
RFQ
FFSP3065B-F085Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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