Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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VS-3C10ET12T-M3

VS-3C10ET12T-M3

10A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

915
RFQ
VS-3C10ET12T-M3Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 60 µA @ 1200 V 38pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SDS120J010H3-ISATH

SDS120J010H3-ISATH

DIODE 1200V-10A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010H3-ISATHDatenblatt Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 36A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
SCS215ANHRTRL

SCS215ANHRTRL

650V 15A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

500
RFQ
SCS215ANHRTRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
JANTX1N914UR

JANTX1N914UR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

233
RFQ
JANTX1N914URDatenblatt - DO-213AA Bulk Active Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
TSCDT16065G1

TSCDT16065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

994
RFQ
TSCDT16065G1Datenblatt - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 70pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
IDWD140E120D7XKSA1

IDWD140E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 207A TO247

Infineon Technologies

167
RFQ
IDWD140E120D7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 207A 3 V @ 140 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 225 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
TSCDF16065G1

TSCDF16065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 16A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
TSCDF16065G1Datenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 70pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
1N3070-1

1N3070-1

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Microchip Technology

257
RFQ
1N3070-1Datenblatt - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 175 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns - - - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
SDS065J020H3-ISATH

SDS065J020H3-ISATH

DIODE 650V-20A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

190
RFQ
SDS065J020H3-ISATHDatenblatt Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1018pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
1N3070UR-1/TR

1N3070UR-1/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

135
RFQ
1N3070UR-1/TRDatenblatt - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 175 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
PCDF1065G1_T0_00601

PCDF1065G1_T0_00601

650V/10A THROUGH HOLE SILICON CA

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDF1065G1_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 380pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-3C15ET12T-M3

VS-3C15ET12T-M3

15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,000
RFQ
VS-3C15ET12T-M3Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 1200 V 56pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SCS212AJTLL

SCS212AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB

Rohm Semiconductor

960
RFQ
SCS212AJTLLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.55 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
PCDP1065GB_T0_00601

PCDP1065GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,975
RFQ
PCDP1065GB_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 446pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-1N1183A

VS-1N1183A

DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

204
RFQ
VS-1N1183ADatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 40A 1.3 V @ 126 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2.5 mA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
TSCDF20065G1

TSCDF20065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 20A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

992
RFQ
TSCDF20065G1Datenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 92.7pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
TSCDT20065G1

TSCDT20065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

967
RFQ
TSCDT20065G1Datenblatt - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 92.7pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-3C10ET12S2L-M3

VS-3C10ET12S2L-M3

10A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

800
RFQ
VS-3C10ET12S2L-M3Datenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 60 µA @ 1200 V 38pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
S5D10170H2

S5D10170H2

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

294
RFQ
S5D10170H2Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 44A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 978pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
PCDP1265GC_T0_00601

PCDP1265GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP1265GC_T0_00601Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.8 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 372pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

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