Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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JAN1N5616/TR

JAN1N5616/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL

Microchip Technology

4,354
RFQ
JAN1N5616/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JAN1N5617/TR

JAN1N5617/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

9,994
RFQ
JAN1N5617/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5618/TR

JAN1N5618/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A

Microchip Technology

2,908
RFQ
JAN1N5618/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JAN1N5614/TR

JAN1N5614/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

6,559
RFQ
JAN1N5614/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JANTX1N3595A-1

JANTX1N3595A-1

DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Microchip Technology

6,070
RFQ
JANTX1N3595A-1Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 2 nA @ 125 V - Military MIL-S-19500-241 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
VS-80EBU02HF4

VS-80EBU02HF4

DIODE GEN PURP 200V 80A POWERTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,676
RFQ
VS-80EBU02HF4Datenblatt FRED Pt® PowerTab® Tube Obsolete Standard 200 V 80A 1.1 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 50 µA @ 200 V - Automotive AEC-Q101 Chassis Mount PowerTab® -55°C ~ 175°C
GC08MPS12-252

GC08MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

7,171
RFQ
GC08MPS12-252Datenblatt SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 7 µA @ 1200 V 545pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-95PF80W

VS-95PF80W

DIODE GEN PURP 800V 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,826
RFQ
VS-95PF80WDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
VS-95PFR80W

VS-95PFR80W

DIODE GP REV 800V 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,616
RFQ
VS-95PFR80WDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
VS-80EPS12PBF

VS-80EPS12PBF

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,605
RFQ
VS-80EPS12PBFDatenblatt - TO-247-3 Bulk Obsolete Standard 1200 V 80A 1.17 V @ 80 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60CPF04PBF

VS-60CPF04PBF

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,177
RFQ
VS-60CPF04PBFDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
JAN1N5615/TR

JAN1N5615/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

7,069
RFQ
JAN1N5615/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-100BGQ015HF4

VS-100BGQ015HF4

DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,817
RFQ
VS-100BGQ015HF4Datenblatt - PowerTab® Tube Obsolete Schottky 15 V 100A 520 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 18 mA @ 15 V 3800pF @ 5V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Chassis Mount PowerTab® -55°C ~ 125°C
CDLL5818/TR

CDLL5818/TR

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

Microchip Technology

2,875
RFQ
CDLL5818/TRDatenblatt - DO-213AB, MELF Tape & Reel (TR) Active Schottky 30 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 30 V 0.9pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 150°C
JANTX1N4246/TR

JANTX1N4246/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

7,927
RFQ
JANTX1N4246/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-80PFR140

VS-80PFR140

DIODE GP REV 1.4KV 80A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,010
RFQ
VS-80PFR140Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 80A 1.46 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 150°C
VS-100BGQ045HF4

VS-100BGQ045HF4

DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,270
RFQ
VS-100BGQ045HF4Datenblatt - PowerTab® Tube Obsolete Schottky 45 V 100A 770 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V 2700pF @ 5V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Chassis Mount PowerTab® -55°C ~ 150°C
1N3880

1N3880

DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,319
RFQ
1N3880Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3882

1N3882

DIODE GEN PURP 300V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,787
RFQ
1N3882Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 300 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6B02

FR6B02

DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,980
RFQ
FR6B02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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