Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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GKR26/16

GKR26/16

DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,961
RFQ
GKR26/16Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1600 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
VS-50PF160

VS-50PF160

DIODE GEN PURP 1.6KV 50A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,370
RFQ
VS-50PF160Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1600 V 50A 1.5 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 160°C
VS-50PFR160

VS-50PFR160

DIODE GP REV 1.6KV 50A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,966
RFQ
VS-50PFR160Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 50A 1.5 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 160°C
1N4248/TR

1N4248/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

9,722
RFQ
1N4248/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-12FL40S05

VS-12FL40S05

DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,712
RFQ
VS-12FL40S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-12FLR40S05

VS-12FLR40S05

DIODE GP REV 400V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,394
RFQ
VS-12FLR40S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
60EPU04

60EPU04

DIODE GP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,834
RFQ
60EPU04Datenblatt FRED Pt® TO-247-2 Tube Obsolete Standard 400 V 60A 1.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 50 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 175°C
JAN1N5616

JAN1N5616

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

5,991
RFQ
JAN1N5616Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
VS-16FL10S02

VS-16FL10S02

DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,451
RFQ
VS-16FL10S02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 16A 1.4 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-16FLR10S02

VS-16FLR10S02

DIODE GP REV 100V 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,282
RFQ
VS-16FLR10S02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 16A 1.4 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-6FL20S02

VS-6FL20S02

DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,057
RFQ
VS-6FL20S02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-6FLR20S02

VS-6FLR20S02

DIODE GP REV 200V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,441
RFQ
VS-6FLR20S02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-6FL40S02

VS-6FL40S02

DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,036
RFQ
VS-6FL40S02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-6FLR40S02

VS-6FLR40S02

DIODE GP REV 400V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,854
RFQ
VS-6FLR40S02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
SCS304AMC

SCS304AMC

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM

Rohm Semiconductor

5,166
RFQ
SCS304AMCDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 200pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
1N6677/TR

1N6677/TR

DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO35

Microchip Technology

7,266
RFQ
1N6677/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 200mA 500 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 µA @ 40 V 50pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 125°C
1N6677-1/TR

1N6677-1/TR

DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO35

Microchip Technology

2,832
RFQ
1N6677-1/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 200mA 500 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 µA @ 40 V 50pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 125°C
1N6677-1E3

1N6677-1E3

DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO35

Microchip Technology

6,362
RFQ
1N6677-1E3Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 40 V 200mA 500 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 µA @ 40 V 50pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 125°C
JAN1N5614

JAN1N5614

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

5,314
RFQ
JAN1N5614Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JAN1N5618

JAN1N5618

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

5,484
RFQ
JAN1N5618Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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