Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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1N5621

1N5621

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

3,600
RFQ
1N5621Datenblatt - A, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 500 nA @ 800 V 20pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N3600

JANTX1N3600

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Microchip Technology

9,330
RFQ
JANTX1N3600Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/231 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
APT75DQ120SG

APT75DQ120SG

DIODE GEN PURP 75A D3PAK

Microchip Technology

9,854
RFQ
APT75DQ120SGDatenblatt - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard - 75A 3.3 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 325 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
JANHCA1N4148

JANHCA1N4148

DIODE GEN PURP 75V 200MA UB

Microchip Technology

3,279
RFQ
JANHCA1N4148Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz Military MIL-S-19500/116 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
VS-6FL60S05

VS-6FL60S05

DIODE GEN PURP 600V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,836
RFQ
VS-6FL60S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-6FLR60S05

VS-6FLR60S05

DIODE GP REV 600V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,340
RFQ
VS-6FLR60S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-C20ET07T-M3

VS-C20ET07T-M3

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,195
RFQ
VS-C20ET07T-M3Datenblatt - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-16FLR60S05

VS-16FLR60S05

DIODE GP REV 600V 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,955
RFQ
VS-16FLR60S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 16A 1.4 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
STPSC606D

STPSC606D

DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC

STMicroelectronics

17
RFQ
STPSC606DDatenblatt - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 600 V 375pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
1N4371/TR

1N4371/TR

DIODE DO35

Microchip Technology

9,192
RFQ
1N4371/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active - - - 1.1 V @ 200 mA - - 75 µA @ 1 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -
SICPT3060Y-BP

SICPT3060Y-BP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

7,095
RFQ
SICPT3060Y-BPDatenblatt - TO-247-2 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 1157pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
JANTX1N4246

JANTX1N4246

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

5,899
RFQ
JANTX1N4246Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
LSIC2SD065C06A

LSIC2SD065C06A

DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO252

Littelfuse Inc.

6,211
RFQ
LSIC2SD065C06ADatenblatt Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18.5A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
1N648UR-1/TR

1N648UR-1/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

3,357
RFQ
1N648UR-1/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
VS-12FLR60S02

VS-12FLR60S02

DIODE GP REV 600V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,153
RFQ
VS-12FLR60S02Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-6FL80S05

VS-6FL80S05

DIODE GEN PURP 800V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,693
RFQ
VS-6FL80S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-6FLR80S05

VS-6FLR80S05

DIODE GP REV 800V 6A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,007
RFQ
VS-6FLR80S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-95PF40W

VS-95PF40W

DIODE GEN PURP 400V 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,956
RFQ
VS-95PF40WDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
VS-95PFR40W

VS-95PFR40W

DIODE GP REV 400V 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,758
RFQ
VS-95PFR40WDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
JAN1N4153-1

JAN1N4153-1

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Microchip Technology

5,926
RFQ
JAN1N4153-1Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 150mA 880 mV @ 20 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 50 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/337 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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