Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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1N486A

1N486A

ZENER DIODE

Microchip Technology

5,671
RFQ
1N486ADatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
SICRD101200

SICRD101200

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK

SMC Diode Solutions

7,462
RFQ
SICRD101200Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 640pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
JAN1N4153-1/TR

JAN1N4153-1/TR

DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Microchip Technology

2,296
RFQ
JAN1N4153-1/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 150mA 880 mV @ 20 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 50 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/337 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 200°C
1N5617/TR

1N5617/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

3,093
RFQ
1N5617/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V 35pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-95PFR140W

VS-95PFR140W

DIODE GP REV 1.4KV 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,580
RFQ
VS-95PFR140WDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
JANTX1N3595A-1/TR

JANTX1N3595A-1/TR

DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Microchip Technology

5,621
RFQ
JANTX1N3595A-1/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 2 nA @ 125 V - Military MIL-S-19500-241 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220AC

Littelfuse Inc.

6,363
RFQ
LSIC2SD120A10Datenblatt Gen2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 582pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
1N5712-1/TR

1N5712-1/TR

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

4,956
RFQ
1N5712-1/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
VS-150EBU02HF4

VS-150EBU02HF4

DIODE GP 200V 150A POWERTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,689
RFQ
VS-150EBU02HF4Datenblatt FRED Pt® PowerTab® Tube Obsolete Standard 200 V 150A 1.1 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 200 V - Automotive AEC-Q101 Chassis Mount PowerTab® -55°C ~ 175°C
WNSC2D301200W6Q

WNSC2D301200W6Q

WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD

WeEn Semiconductors

9,578
RFQ
WNSC2D301200W6QDatenblatt - TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.6 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 1407pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N486B

1N486B

DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Microchip Technology

2,822
RFQ
1N486BDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 250 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 µA @ 250 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JANHCA1N4150

JANHCA1N4150

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Microchip Technology

7,376
RFQ
JANHCA1N4150Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V 2.5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-S-19500/231 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JANHCA1N5711

JANHCA1N5711

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

2,418
RFQ
JANHCA1N5711Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
JANTX1N4245/TR

JANTX1N4245/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

3,960
RFQ
JANTX1N4245/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5417-1

1N5417-1

DIODE GEN PURP 200V 3A B

Microchip Technology

2,546
RFQ
1N5417-1Datenblatt - Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B -65°C ~ 175°C
VS-12FL80S05

VS-12FL80S05

DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,851
RFQ
VS-12FL80S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-12FLR80S05

VS-12FLR80S05

DIODE GP REV 800V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,619
RFQ
VS-12FLR80S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
SICRB101200

SICRB101200

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

SMC Diode Solutions

4,540
RFQ
SICRB101200Datenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 640pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
VS-EBU8006HF4

VS-EBU8006HF4

DIODE GEN PURP 600V 80A POWERTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,843
RFQ
VS-EBU8006HF4Datenblatt - PowerTab® Tube Obsolete Standard 600 V 80A 1.53 V @ 80 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 8 µA @ 600 V - - - Chassis Mount PowerTab® -65°C ~ 175°C
VS-95PFR160W

VS-95PFR160W

DIODE GP REV 1.6KV 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,595
RFQ
VS-95PFR160WDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 150°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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