Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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STTH30RQ06L2Y-TR

STTH30RQ06L2Y-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK

STMicroelectronics

823
RFQ
STTH30RQ06L2Y-TRDatenblatt - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount HU3PAK -40°C ~ 175°C
IDK12G65C5XTMA2

IDK12G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2

Infineon Technologies

1,257
RFQ
IDK12G65C5XTMA2Datenblatt CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.8 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
1N5614US

1N5614US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

250
RFQ
1N5614USDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
IDL12G65C5XUMA2

IDL12G65C5XUMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4

Infineon Technologies

6,146
RFQ
IDL12G65C5XUMA2Datenblatt CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
DSEI36-06AS-TUB

DSEI36-06AS-TUB

DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AA

IXYS

1,403
RFQ
DSEI36-06AS-TUBDatenblatt FRED TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 150°C
C4D05120E-TR

C4D05120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,520
RFQ
C4D05120E-TRDatenblatt Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
1N5550

1N5550

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

262
RFQ
1N5550Datenblatt - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
STTH75S12W

STTH75S12W

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DO247

STMicroelectronics

295
RFQ
STTH75S12WDatenblatt - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 75A 3.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
VS-40EPS12-M3

VS-40EPS12-M3

DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

343
RFQ
VS-40EPS12-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 40A 1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
FFSP2065A

FFSP2065A

DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2

onsemi

3,918
RFQ
FFSP2065ADatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DNA30E2200PZ-TRL

DNA30E2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

IXYS

3,257
RFQ
DNA30E2200PZ-TRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 150°C
C3D08060G

C3D08060G

DIODE SIL CARB 600V 24A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

205
RFQ
C3D08060GDatenblatt Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APS12-M3

VS-80APS12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,977
RFQ
VS-80APS12-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 80A 1.17 V @ 80 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
IDWD150E65E7XKSA1

IDWD150E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 200A TO247-2

Infineon Technologies

328
RFQ
IDWD150E65E7XKSA1Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 200A 2.1 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 97 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
DPG60IM300PC-TRL

DPG60IM300PC-TRL

DIODE GEN PURP 300V 60A TO263AA

IXYS

1,956
RFQ
DPG60IM300PC-TRLDatenblatt HiPerFRED²™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 60A 1.43 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 1 µA @ 300 V - - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
FFSM2065B

FFSM2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN

onsemi

2,096
RFQ
FFSM2065BDatenblatt - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
STPSC10H12G2-TR

STPSC10H12G2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

570
RFQ
STPSC10H12G2-TRDatenblatt ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
VS-60EPS08-M3

VS-60EPS08-M3

DIODE GP 800V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,185
RFQ
VS-60EPS08-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 800 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPS12-M3

VS-60EPS12-M3

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

408
RFQ
VS-60EPS12-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
FFSB2065BDN-F085

FFSB2065BDN-F085

DIODE SIC 650V 23.6A D2PAK-3

onsemi

659
RFQ
FFSB2065BDN-F085Datenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.6A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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