Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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APT30D20BG

APT30D20BG

DIODE GP 200V 30A TO247

Microchip Technology

141
RFQ
APT30D20BGDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 30A 1.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 24 ns 250 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
IDD04SG60CXTMA2

IDD04SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3

Infineon Technologies

8,891
RFQ
IDD04SG60CXTMA2Datenblatt CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 2.3 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 600 V 80pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
STPS15L25D

STPS15L25D

DIODE SCHOTTKY 25V 15A TO220AC

STMicroelectronics

2,507
RFQ
STPS15L25DDatenblatt - TO-220-2 Tube Active Schottky 25 V 15A 460 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 25 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
RBQ30TB45BHZC9

RBQ30TB45BHZC9

AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Rohm Semiconductor

830
RFQ
RBQ30TB45BHZC9Datenblatt - TO-220-2 Full Pack Bulk Active Schottky 45 V 30A 590 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 45 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220FN-2 150°C
DSEP12-12A

DSEP12-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC

IXYS

428
RFQ
DSEP12-12ADatenblatt HiPerFRED™ TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 15A 2.75 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STTH1512GY-TR

STTH1512GY-TR

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A D2PAK

STMicroelectronics

1,212
RFQ
STTH1512GY-TRDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 15A 1.9 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 105 ns 15 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
VS-20ETS12-M3

VS-20ETS12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,466
RFQ
VS-20ETS12-M3Datenblatt - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 20A 1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-8EWS12STR-M3

VS-8EWS12STR-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,450
RFQ
VS-8EWS12STR-M3Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
STTH6006W

STTH6006W

DIODE GEN PURP 600V 60A DO247

STMicroelectronics

1,099
RFQ
STTH6006WDatenblatt - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 60A 1.85 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
VS-60EPU04-N3

VS-60EPU04-N3

DIODE GP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

542
RFQ
VS-60EPU04-N3Datenblatt FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 50 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 175°C
IDH06G65C6XKSA1

IDH06G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

Infineon Technologies

576
RFQ
IDH06G65C6XKSA1Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.35 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 420 V 302pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
STTH3012D

STTH3012D

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC

STMicroelectronics

931
RFQ
STTH3012DDatenblatt - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
MBRF40250TG

MBRF40250TG

DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220FP

onsemi

7,421
RFQ
MBRF40250TGDatenblatt SWITCHMODE™ TO-220-3 Full Pack Tube Active Schottky 250 V 40A 970 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 30 µA @ 250 V 500pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-220FP -65°C ~ 150°C
D6025LTP

D6025LTP

DIODE GP 600V 15.9A TO220AB-L

Littelfuse Inc.

961
RFQ
D6025LTPDatenblatt - TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 15.9A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AB-L -40°C ~ 125°C
APT30D100BG

APT30D100BG

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

Microchip Technology

710
RFQ
APT30D100BGDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 30A 2.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 290 ns 250 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
STTH30R04D

STTH30R04D

DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC

STMicroelectronics

1,199
RFQ
STTH30R04DDatenblatt - TO-220-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.45 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
IDK06G65C5XTMA2

IDK06G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 6A TO263-2

Infineon Technologies

3,154
RFQ
IDK06G65C5XTMA2Datenblatt CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1.1 mA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
STTH30L06GY-TR

STTH30L06GY-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

STMicroelectronics

11,130
RFQ
STTH30L06GY-TRDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
VS-45EPS16L-M3

VS-45EPS16L-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

467
RFQ
VS-45EPS16L-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 45A 1.16 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
APT60D40BG

APT60D40BG

DIODE GP 400V 60A TO247

Microchip Technology

439
RFQ
APT60D40BGDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 37 ns 250 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

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Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

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