Einzeldioden
| Foto | Herst.-Teilenr. | Verfügbarkeit | Menge | Datenblatt | Serie | Verpackung/Gehäuse | Verpackung | Produktstatus | Technologie | Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) | Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If | Geschwindigkeit | Sperrerholungszeit (trr) | Strom - Sperrleck @ Vr | Kapazität @ Vr, F | Klasse | Qualifizierung | Montageart | Lieferant Gerätepaket | Betriebstemperatur - Sperrschicht |
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FFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA |
2,010 |
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- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 22.5A | 1.75 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | 538pF @ 1V, 100kHz | - | - | Surface Mount | TO-252AA | -55°C ~ 175°C |
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STPSC10H12G2Y-TRDIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK |
498 |
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ECOPACK®2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.5 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 60 µA @ 1200 V | 725pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK HV | -40°C ~ 175°C |
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1N5802DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL |
298 |
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- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 50 V | 1A | 875 mV @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25 ns | 1 µA @ 50 V | 25pF @ 10V, 1MHz | - | - | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
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VS-16F120DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA |
104 |
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- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard | 1200 V | 16A | 1.23 V @ 50 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 12 mA @ 1200 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AA (DO-4) | -65°C ~ 175°C |
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1N5807DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
198 |
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- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 50 V | 3A | 875 mV @ 4 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 30 ns | 5 µA @ 50 V | 60pF @ 10V, 1MHz | - | - | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
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JANTX1N5417DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
204 |
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- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 200 V | 3A | 1.5 V @ 9 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 150 ns | 1 µA @ 200 V | - | Military | MIL-PRF-19500/411 | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
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DH20-18ADIODE GEN PURP 1.8KV 20A TO247 |
129 |
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- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1800 V | 20A | 2.24 V @ 20 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 300 ns | 50 µA @ 1800 V | - | - | - | Through Hole | TO-247 | -55°C ~ 150°C |
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1N5615USDIODE GEN PURP 200V 1A D-5A |
630 |
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- | SQ-MELF, A | Bulk | Active | Standard | 200 V | 1A | 1.6 V @ 3 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 150 ns | 500 nA @ 200 V | 45pF @ 12V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D-5A | -65°C ~ 175°C |
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VS-60EPU02-N3DIODE GP 200V 60A TO247AC |
554 |
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FRED Pt® | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 200 V | 60A | 1.08 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 28 ns | 50 µA @ 200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AC Modified | -55°C ~ 175°C |
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JANTX1N6642DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 |
6,996 |
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- | DO-204AH, DO-35, Axial | Bulk | Active | Standard | 75 V | 300mA | 1.2 V @ 100 mA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 20 ns | 500 nA @ 75 V | 5pF @ 0V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/578 | Through Hole | DO-204AH (DO-35) | -65°C ~ 175°C |
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1N3881DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 |
414 |
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- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard | 200 V | 6A | 1.4 V @ 6 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 200 ns | 15 µA @ 50 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 150°C |
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GD20MPS12HDIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2 |
2,961 |
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SiC Schottky MPS™ | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 39A | 1.8 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | 737pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
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S4D15120HDIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247AC |
634 |
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- | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 15A | 1.8 V @ 15 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 35 µA @ 1200 V | 1200pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247AC | -55°C ~ 175°C |
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STPSC20065WYDIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247 |
258 |
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ECOPACK®2 | DO-247-2 (Straight Leads) | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.45 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 300 µA @ 650 V | 1250pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | DO-247 | -40°C ~ 175°C |
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FFSB3065BDIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2 |
3,732 |
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- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 73A | 1.7 V @ 30 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 1280pF @ 1V, 100kHz | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) | -55°C ~ 175°C |
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IDDD20G65C6XTMA1DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10 |
606 |
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CoolSiC™+ | 10-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 51A | - | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 67 µA @ 420 V | 970pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-10-1 | -55°C ~ 175°C |
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VS-12FR120DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO203AA |
475 |
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- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 1200 V | 12A | 1.26 V @ 38 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 12 mA @ 1200 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AA (DO-4) | -65°C ~ 175°C |
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VS-40HF40DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB |
221 |
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- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard | 400 V | 40A | 1.3 V @ 125 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 9 mA @ 400 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 190°C |
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JANTX1N5554DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL |
118 |
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- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 1000 V | 5A | 1.3 V @ 9 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2 µs | 2 µA @ 1000 V | - | Military | MIL-PRF-19500/420 | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
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DSEI60-12ADIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD |
561 |
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- | TO-247-2 | Tube | Active | Standard | 1200 V | 52A | 2.55 V @ 60 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 60 ns | 2.2 mA @ 1200 V | - | - | - | Through Hole | TO-247AD | -40°C ~ 150°C |
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