Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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HFA25PB60

HFA25PB60

DIODE GP 600V 25A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,225
RFQ
HFA25PB60Datenblatt HEXFRED® TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 25A 1.7 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
JAN1N6638

JAN1N6638

DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Microchip Technology

2,367
RFQ
JAN1N6638Datenblatt - D, Axial Bulk Active Standard 150 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 150 V 2.5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
CDLL645/TR

CDLL645/TR

DIODE GP 225V 400MA DO213AA

Microchip Technology

3,163
RFQ
CDLL645/TRDatenblatt - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 225 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 225 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
80EPF10

80EPF10

DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,716
RFQ
80EPF10Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1000 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -65°C ~ 175°C
5099

5099

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Adafruit Industries LLC

6,088
RFQ
5099Datenblatt - SOD-123 Bulk Active Standard 75 V 150mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 µA @ 100 V - - - Surface Mount SOD-123 150°C
1N459AUR

1N459AUR

DIODE GP 200V 150MA DO213AA

Microchip Technology

8,293
RFQ
1N459AURDatenblatt - DO-213AA Bulk Active Standard 200 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
GC10MPS12-252

GC10MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

5,200
RFQ
GC10MPS12-252Datenblatt SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 660pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-60APF02-M3

VS-60APF02-M3

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,124
RFQ
VS-60APF02-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF04-M3

VS-60APF04-M3

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,021
RFQ
VS-60APF04-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF06-M3

VS-60APF06-M3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,732
RFQ
VS-60APF06-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF10-M3

VS-60APF10-M3

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,598
RFQ
VS-60APF10-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 1000 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60EPF02-M3

VS-60EPF02-M3

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,795
RFQ
VS-60EPF02-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF04-M3

VS-60EPF04-M3

DIODE GP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,180
RFQ
VS-60EPF04-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF10-M3

VS-60EPF10-M3

DIODE GP 1KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,514
RFQ
VS-60EPF10-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
60EPF06

60EPF06

DIODE GP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,034
RFQ
60EPF06Datenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
BYT30PI-1000RG

BYT30PI-1000RG

DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I

STMicroelectronics

4,625
RFQ
BYT30PI-1000RGDatenblatt - DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Obsolete Standard 1000 V 30A 1.9 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 165 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole DOP3I -40°C ~ 150°C
JAN1N4946

JAN1N4946

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

2,026
RFQ
JAN1N4946Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/360 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N6643

1N6643

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

2,257
RFQ
1N6643Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JAN1N5621/TR

JAN1N5621/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

3,206
RFQ
JAN1N5621/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-97PF120

VS-97PF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,258
RFQ
VS-97PF120Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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