Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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GP3D020A065A

GP3D020A065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

SemiQ

8,484
RFQ
GP3D020A065ADatenblatt Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 650 V 1247pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-52PF120

VS-52PF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,253
RFQ
VS-52PF120Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 50A 1.4 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
VS-52PFR120

VS-52PFR120

DIODE GP REV 1.2KV 50A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,816
RFQ
VS-52PFR120Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 50A 1.4 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
VS-95PFR140

VS-95PFR140

DIODE GP REV 1.4KV 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,319
RFQ
VS-95PFR140Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
JAN1N4248

JAN1N4248

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

3,150
RFQ
JAN1N4248Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N4942/TR

1N4942/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

4,794
RFQ
1N4942/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N4942-1/TR

1N4942-1/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

4,520
RFQ
1N4942-1/TRDatenblatt - Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole - -65°C ~ 175°C
1N4942E3

1N4942E3

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

6,219
RFQ
1N4942E3Datenblatt - Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole - -65°C ~ 175°C
VS-1N1190RA

VS-1N1190RA

DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,537
RFQ
VS-1N1190RADatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1.3 V @ 126 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2.5 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
JANTX1N5617/TR

JANTX1N5617/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

9,027
RFQ
JANTX1N5617/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V 35pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N3613/TR

1N3613/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A

Microchip Technology

4,524
RFQ
1N3613/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N646UR-1

1N646UR-1

SILICON SWITCHING DIODES

Microchip Technology

9,540
RFQ
1N646UR-1Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N3600UR

1N3600UR

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO213AA

Microchip Technology

8,129
RFQ
1N3600URDatenblatt - DO-213AA Bulk Active Standard 75 V 300mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JAN1N5620

JAN1N5620

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

2,024
RFQ
JAN1N5620Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JANTX1N3614

JANTX1N3614

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

7,734
RFQ
JANTX1N3614Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/228 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JANHCA1N5712

JANHCA1N5712

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

6,598
RFQ
JANHCA1N5712Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
JAN1N5552/TR

JAN1N5552/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A

Microchip Technology

7,788
RFQ
JAN1N5552/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
GC15MPS12-220

GC15MPS12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 82A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

9,148
RFQ
GC15MPS12-220Datenblatt SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 82A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 14 µA @ 1200 V 1089pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-95PFR160

VS-95PFR160

DIODE GP REV 1.6KV 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,375
RFQ
VS-95PFR160Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
VS-40HFLR10S05

VS-40HFLR10S05

DIODE GP REV 100V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,434
RFQ
VS-40HFLR10S05Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 40A 1.95 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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