Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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JANTX1N5806/TR

JANTX1N5806/TR

DIODE GEN PURP 150V 1A

Microchip Technology

7,860
RFQ
JANTX1N5806/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N4249

JAN1N4249

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Microchip Technology

5,851
RFQ
JAN1N4249Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5621

JAN1N5621

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

3,676
RFQ
JAN1N5621Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
E3D08065G-TR

E3D08065G-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 8A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

6,830
RFQ
E3D08065G-TRDatenblatt E-Series TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 51 µA @ 650 V 369pF @ 0V, 1MHz Automotive - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
60CPF02

60CPF02

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,119
RFQ
60CPF02Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
60EPF02

60EPF02

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,108
RFQ
60EPF02Datenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
60EPF04

60EPF04

DIODE GP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,185
RFQ
60EPF04Datenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
80EPS12

80EPS12

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,599
RFQ
80EPS12Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1200 V 80A 1.17 V @ 80 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
CDLL1A60/TR

CDLL1A60/TR

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Microchip Technology

5,440
RFQ
CDLL1A60/TRDatenblatt - DO-213AB, MELF Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 1A 690 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 60 V 0.9pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -
SCS306AMC

SCS306AMC

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM

Rohm Semiconductor

6,403
RFQ
SCS306AMCDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
JAN1N5712-1/TR

JAN1N5712-1/TR

DIODE SCHOTTKY 16V 33MA DO35

Microchip Technology

5,698
RFQ
JAN1N5712-1/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 16 V 33mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
1N5619E3/TR

1N5619E3/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A A AXIAL

Microchip Technology

7,282
RFQ
1N5619E3/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 400 V 25pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
DMA10P1200HR

DMA10P1200HR

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A ISO247

IXYS

9,315
RFQ
DMA10P1200HRDatenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 10A 1.23 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1200 V 4pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -55°C ~ 175°C
VS-12FL100S05

VS-12FL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,730
RFQ
VS-12FL100S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-12FLR100S05

VS-12FLR100S05

DIODE GP REV 1KV 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,703
RFQ
VS-12FLR100S05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N5419

1N5419

DIODE GEN PURP 500V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

4,328
RFQ
1N5419Datenblatt - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5803

1N5803

DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Microchip Technology

8,532
RFQ
1N5803Datenblatt - A, Axial Bulk Obsolete Standard 75 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 75 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-41HF80

VS-41HF80

DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,677
RFQ
VS-41HF80Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
VS-41HFR80

VS-41HFR80

DIODE GP REV 800V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,790
RFQ
VS-41HFR80Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
DSEP9-06CR

DSEP9-06CR

DIODE GP 600V 9A ISOPLUS247

IXYS

4,919
RFQ
DSEP9-06CRDatenblatt HiPerDynFRED™ TO-247-3 Tube Obsolete Standard 600 V 9A 4 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole ISOPLUS247™ -55°C ~ 175°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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