Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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1N1187

1N1187

DIODE GEN PURP 300V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,826
RFQ
1N1187Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 300 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1187R

1N1187R

DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,687
RFQ
1N1187RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 300 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1189

1N1189

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,958
RFQ
1N1189Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1189R

1N1189R

DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,729
RFQ
1N1189RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3765

1N3765

DIODE GEN PURP 700V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,774
RFQ
1N3765Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 700 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3765R

1N3765R

DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,682
RFQ
1N3765RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 700 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3766

1N3766

DIODE GEN PURP 800V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,088
RFQ
1N3766Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3766R

1N3766R

DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,396
RFQ
1N3766RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3767

1N3767

DIODE GEN PURP 900V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,716
RFQ
1N3767Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 900 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3767R

1N3767R

DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,391
RFQ
1N3767RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 900 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
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