Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

Alles zurücksetzen
Alles anwenden
Ergebnis
Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
GB05MPS17-263

GB05MPS17-263

DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2,207
RFQ
GB05MPS17-263Datenblatt SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 18A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 470pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
1N3889

1N3889

DIODE GEN PURP 50V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,429
RFQ
1N3889Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 50 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3890

1N3890

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,050
RFQ
1N3890Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3893

1N3893

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,963
RFQ
1N3893Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12B05

FR12B05

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,667
RFQ
FR12B05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12D05

FR12D05

DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,447
RFQ
FR12D05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12G05

FR12G05

DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,235
RFQ
FR12G05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12J05

FR12J05

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,834
RFQ
FR12J05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3890R

1N3890R

DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,038
RFQ
1N3890RDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3891R

1N3891R

DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,163
RFQ
1N3891RDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
Total 775 Record«Prev1... 1718192021222324...78Next»
Masstock Electronics

Suchen

Masstock Electronics

Produkte

Masstock Electronics

Telefon

Masstock Electronics

Benutzer

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics