Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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BYQ60W-600PT2Q

BYQ60W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2

WeEn Semiconductors

569
RFQ
BYQ60W-600PT2QDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
BYV60W-600PT2Q

BYV60W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2

WeEn Semiconductors

468
RFQ
BYV60W-600PT2QDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.7 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 79 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
WNSC2D10650Q

WNSC2D10650Q

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

WeEn Semiconductors

995
RFQ
WNSC2D10650QDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C
WNSC6D166506Q

WNSC6D166506Q

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC

WeEn Semiconductors

2,976
RFQ
WNSC6D166506QDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 780pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C
BYC30W-600PT2Q

BYC30W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

WeEn Semiconductors

1,787
RFQ
BYC30W-600PT2QDatenblatt - TO-247-2 Bulk Active Standard 600 V 30A 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 34 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
BYC30W-1200PQ

BYC30W-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

WeEn Semiconductors

386
RFQ
BYC30W-1200PQDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 3.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
WNSC2D10650TJ

WNSC2D10650TJ

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN

WeEn Semiconductors

890
RFQ
WNSC2D10650TJDatenblatt - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) 175°C
WNSC2D10650WQ

WNSC2D10650WQ

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2

WeEn Semiconductors

517
RFQ
WNSC2D10650WQDatenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
BYC75W-600PT2Q

BYC75W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247-2

WeEn Semiconductors

508
RFQ
BYC75W-600PT2QDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 2.75 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
WNSC6D16650CW6Q

WNSC6D16650CW6Q

DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3

WeEn Semiconductors

3,000
RFQ
WNSC6D16650CW6QDatenblatt - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 780pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 175°C
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