Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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WNSC6D08650Q

WNSC6D08650Q

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

9,986
RFQ
WNSC6D08650QDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.4 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 402pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C
WNSC2D1012006Q

WNSC2D1012006Q

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

WeEn Semiconductors

7,186
RFQ
WNSC2D1012006QDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
BYC40W-1200PQ

BYC40W-1200PQ

BYC40W-1200P/TO247-2L/STANDARD M

WeEn Semiconductors

3,619
RFQ
BYC40W-1200PQDatenblatt - TO-247-2 Bulk Active Standard 1200 V 40A 3.3 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 91 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
WNSC2D101200W6Q

WNSC2D101200W6Q

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

WeEn Semiconductors

9,408
RFQ
WNSC2D101200W6QDatenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 490pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
BYV60W-600PSQ

BYV60W-600PSQ

BYV60W-600PS/SOD142/STANDARD MAR

WeEn Semiconductors

9,884
RFQ
BYV60W-600PSQDatenblatt - TO-247-2 Bulk Active Standard 600 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
WNC3060D45160WQ

WNC3060D45160WQ

WNC3060D45160W/TO247/STANDARD MA

WeEn Semiconductors

6,386
RFQ
WNC3060D45160WQDatenblatt - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
WNSC2D151200W6Q

WNSC2D151200W6Q

WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD

WeEn Semiconductors

2,929
RFQ
WNSC2D151200W6QDatenblatt - TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 700pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
WB100FC120ALZ

WB100FC120ALZ

WB100FC120AL/NAU000/NO MARK*CHIP

WeEn Semiconductors

4,923
RFQ
WB100FC120ALZDatenblatt - Die Bulk Active Standard 1200 V 100A 3.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 250 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Wafer 175°C
BYC60W-1200PQ

BYC60W-1200PQ

BYC60W-1200P/TO247-2L/STANDARD M

WeEn Semiconductors

4,320
RFQ
BYC60W-1200PQDatenblatt - TO-247-2 Bulk Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 96 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
NXPSC04650D6J

NXPSC04650D6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK

WeEn Semiconductors

6,462
RFQ
NXPSC04650D6JDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 170 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DPAK 175°C (Max)
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