Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
UJ3D1725K2

UJ3D1725K2

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

Qorvo

4,349
RFQ
UJ3D1725K2Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 25A 1.7 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 360 µA @ 1700 V 1500pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1250K2

UJ3D1250K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

Qorvo

14,813
RFQ
UJ3D1250K2Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210TS

UJ3D1210TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Qorvo

8,990
RFQ
UJ3D1210TSDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06560KSD

UJ3D06560KSD

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Qorvo

6,369
RFQ
UJ3D06560KSDDatenblatt - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 740 µA @ 650 V 1980pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1250K

UJ3D1250K

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3

Qorvo

6,427
RFQ
UJ3D1250KDatenblatt - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1202TS

UJ3D1202TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2

Qorvo

16,006
RFQ
UJ3D1202TSDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 22 µA @ 1200 V 109pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06506TS

UJ3D06506TS

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2

Qorvo

57,316
RFQ
UJ3D06506TSDatenblatt Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 196pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06510TS

UJ3D06510TS

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

Qorvo

11,657
RFQ
UJ3D06510TSDatenblatt Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 327pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1205TS

UJ3D1205TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2

Qorvo

27,393
RFQ
UJ3D1205TSDatenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 1200 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06520TS

UJ3D06520TS

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

Qorvo

6,004
RFQ
UJ3D06520TSDatenblatt Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 654pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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