Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
BAS32L,135

BAS32L,135

DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS

NXP Semiconductors

635,088
RFQ
BAS32L,135Datenblatt - DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount LLDS; MiniMelf 200°C (Max)
BAS16W,115

BAS16W,115

DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323

NXP Semiconductors

473,899
RFQ
BAS16W,115Datenblatt BAS16 SC-70, SOT-323 Bulk Active Standard 100 V 175mA 1.25 V @ 150 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 500 nA @ 80 V 1.5pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-323 -65°C ~ 150°C
BAS21/MI,215

BAS21/MI,215

BAS21 - HIGH-VOLTAGE SWITCHING D

NXP USA Inc.

463,120
RFQ
BAS21/MI,215Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
PMBD6050,215

PMBD6050,215

DIODE GEN PURP 70V 215MA TO236AB

NXP Semiconductors

399,999
RFQ
PMBD6050,215Datenblatt - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Standard 70 V 215mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V 1.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-236AB 150°C (Max)
BAS70,235

BAS70,235

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23

NXP USA Inc.

250,000
RFQ
BAS70,235Datenblatt - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Schottky 70 V 70mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 70 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23 150°C (Max)
BAS21/MI,235

BAS21/MI,235

BAS21 - HIGH-VOLTAGE SWITCHING D

NXP USA Inc.

160,000
RFQ
BAS21/MI,235Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1PS70SB40,115

1PS70SB40,115

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT323

NXP Semiconductors

410,000
RFQ
1PS70SB40,115Datenblatt - SC-70, SOT-323 Bulk Active Schottky 40 V 120mA 1 V @ 40 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 40 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOT-323 150°C (Max)
BAV102,115

BAV102,115

DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

NXP Semiconductors

40,000
RFQ
BAV102,115Datenblatt - DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 150 V 250mA 1.25 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 nA @ 150 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount LLDS; MiniMelf 175°C (Max)
PMEG6010ESBC,315

PMEG6010ESBC,315

NEXPERIA PMEG6010ESBC - RECTIFIE

NXP Semiconductors

30,000
RFQ
PMEG6010ESBC,315Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
PMEG4002ESFYL

PMEG4002ESFYL

DIODE SCHOTT 40V 200MA DSN0603-2

NXP Semiconductors

1,062,000
RFQ
PMEG4002ESFYLDatenblatt - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 40 V 200mA 600 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.28 ns 6.5 µA @ 40 V 17pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C (Max)
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