Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2

NXP Semiconductors

200,180
RFQ
PMEG6010ESBYLDatenblatt - 2-XDFN Bulk Active Schottky 60 V 1A 730 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2.4 ns 30 µA @ 60 V 20pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount DSN1006-2 150°C (Max)
PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2

NXP USA Inc.

27,000
RFQ
PMEG6010ESBYLDatenblatt - 2-XDFN Bulk Active Schottky 60 V 1A 730 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2.4 ns 30 µA @ 60 V 20pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount DSN1006-2 150°C (Max)
PMEG2010BELD,315

PMEG2010BELD,315

NEXPERIA PMEG2010BELD - RECTIFIE

NXP Semiconductors

228,326
RFQ
PMEG2010BELD,315Datenblatt - SOD-882 Bulk Active Schottky 20 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6 ns 200 µA @ 20 V 40pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DFN1006-2 150°C (Max)
PMEG3005AEV,115

PMEG3005AEV,115

DIODE SCHOTTKY 30V 0.5A SOT666

NXP USA Inc.

32,000
RFQ
PMEG3005AEV,115Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
PMEG4020EP,115

PMEG4020EP,115

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD128

NXP USA Inc.

9,000
RFQ
PMEG4020EP,115Datenblatt * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
BAT720/DG/B2,215

BAT720/DG/B2,215

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY

NXP USA Inc.

174,000
RFQ
BAT720/DG/B2,215Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
PMEG3020CEP,115

PMEG3020CEP,115

DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD128

NXP Semiconductors

333,000
RFQ
PMEG3020CEP,115Datenblatt - SOD-128 Bulk Active Schottky 30 V 2A 420 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 30 V 170pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SOD-128/CFP5 150°C (Max)
PMEG4020EP,115

PMEG4020EP,115

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD128

NXP Semiconductors

9,007
RFQ
PMEG4020EP,115Datenblatt - SOD-128 Bulk Active Schottky 40 V 2A 490 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V 95pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount SOD-128/CFP5 150°C (Max)
1N4148,133

1N4148,133

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

9,742
RFQ
1N4148,133Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Cut Tape (CT) Obsolete Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 -
1N4148,143

1N4148,143

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

7,242
RFQ
1N4148,143Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Cut Tape (CT) Obsolete Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 200°C (Max)
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