Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
130HFR80PV

130HFR80PV

DIODE GEN PURP 800V 130A DO205AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,739
RFQ
130HFR80PVDatenblatt - DO-205AC, DO-30, Stud Bulk Obsolete Standard 800 V 130A 1.5 V @ 500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 800 V - - - Stud Mount DO-205AC (DO-30) -40°C ~ 180°C
VS-72HF120M

VS-72HF120M

DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,628
RFQ
VS-72HF120MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-72HF80M

VS-72HF80M

DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,921
RFQ
VS-72HF80MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-72HFR120M

VS-72HFR120M

DIODE GP REV 1.2KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,722
RFQ
VS-72HFR120MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-72HFR80M

VS-72HFR80M

DIODE GP REV 800V 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,848
RFQ
VS-72HFR80MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-71HF140M

VS-71HF140M

DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,073
RFQ
VS-71HF140MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1400 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
VS-71HFR140M

VS-71HFR140M

DIODE GP REV 1.4KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,821
RFQ
VS-71HFR140MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 70A 1.46 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 150°C
VS-71HFR160M

VS-71HFR160M

DIODE GP REV 1.6KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,887
RFQ
VS-71HFR160MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 70A 1.46 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 150°C
C5D50065D

C5D50065D

DIODE SIL CARB 650V 100A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

2,974
RFQ
C5D50065DDatenblatt Z-Rec® TO-247-3 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 100A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 500 µA @ 650 V 1970pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
1N6663/TR

1N6663/TR

DIODE GEN PURP 600V 600MA DO35

Microchip Technology

8,210
RFQ
1N6663/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 600mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
DMA100A1600NB

DMA100A1600NB

PWRDIODEDISC-RECTIFIER SOT-227UI

IXYS

6,126
RFQ
DMA100A1600NBDatenblatt - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
CS341202

CS341202

DIODE GP 1.2KV 20A POW-R-BLOK

Powerex Inc.

4,002
RFQ
CS341202Datenblatt - POW-R-BLOK™ Module Bulk Obsolete Standard 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 800 ns 5 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount POW-R-BLOK™ Module -
UES1001/TR

UES1001/TR

DIODE GEN PURP 50V 1A A AXIAL

Microchip Technology

7,633
RFQ
UES1001/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 175°C
UES1102E3/TR

UES1102E3/TR

DIODE GEN PURP 100V 2.5A A AXIAL

Microchip Technology

8,161
RFQ
UES1102E3/TRDatenblatt - Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 2.5A 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Through Hole A, Axial 175°C
1N6628US

1N6628US

DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Microchip Technology

7,905
RFQ
1N6628USDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 660 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 660 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount A-MELF -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5420/TR

JANTXV1N5420/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

5,042
RFQ
JANTXV1N5420/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6628U

1N6628U

DIODE GP 660V 1.75A SQ-MELF B

Microchip Technology

7,497
RFQ
1N6628UDatenblatt - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 660 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 2 µA @ 660 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5420

JANTXV1N5420

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

4,357
RFQ
JANTXV1N5420Datenblatt - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6631US

1N6631US

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

Microchip Technology

5,297
RFQ
1N6631USDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 1100 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 4 µA @ 1100 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount A-MELF -65°C ~ 150°C
1N6642UB2

1N6642UB2

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

3,414
RFQ
1N6642UB2Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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