Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
JANTXV1N5553US/TR

JANTXV1N5553US/TR

DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

4,155
RFQ
JANTXV1N5553US/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 3A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs - - Military MIL-PRF-19500/420 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
CDLL3595

CDLL3595

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

6,572
RFQ
CDLL3595Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
241NQ045

241NQ045

DIODE SCHOTTKY 45V 240A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,398
RFQ
241NQ045Datenblatt - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 45 V 240A 690 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 45 V 10300pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

DIODE GP 1.7KV 150A WAFER

Infineon Technologies

6,274
RFQ
SIDC85D170HX1SA2Datenblatt - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1700 V 150A 1.8 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1700 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
1N6074US/TR

1N6074US/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A D-5A

Microchip Technology

6,174
RFQ
1N6074US/TRDatenblatt - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 2.04 V @ 9.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 µA @ 100 V - - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 155°C
JAN1N5811URS/TR

JAN1N5811URS/TR

DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B

Microchip Technology

2,049
RFQ
JAN1N5811URS/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JAN1N5809URS/TR

JAN1N5809URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

5,724
RFQ
JAN1N5809URS/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JAN1N5807URS/TR

JAN1N5807URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,475
RFQ
JAN1N5807URS/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
243NQ100

243NQ100

DIODE SCHOTTKY 100V 240A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,203
RFQ
243NQ100Datenblatt - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 100 V 240A 860 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 100 V 5500pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
1N6642UB/TR

1N6642UB/TR

DIODE GEN PURP UB

Microchip Technology

8,591
RFQ
1N6642UB/TRDatenblatt - 4-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Standard - - 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns - 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount UB -
1N6073US

1N6073US

DIODE GEN PURP 50V 3A D-5A

Microchip Technology

7,348
RFQ
1N6073USDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 50 V 3A 2.04 V @ 9.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 µA @ 50 V - - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 155°C
1N6075US

1N6075US

DIODE GEN PURP 150V 3A D-5A

Microchip Technology

8,965
RFQ
1N6075USDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 3A 2.04 V @ 9.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 µA @ 150 V - - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 155°C
1N3085

1N3085

DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,783
RFQ
1N3085Datenblatt - DO-205AC, DO-30, Stud Bulk Obsolete Standard 100 V 150A 1.2 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 mA @ 100 V - - - Stud Mount DO-205AC (DO-30) -65°C ~ 200°C
1N6625E3

1N6625E3

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A AXIAL

Microchip Technology

3,021
RFQ
1N6625E3Datenblatt - A, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1100 V 1A 1.95 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
JANTX1N6075

JANTX1N6075

DIODE GEN PURP 150V 850MA A-PAK

Microchip Technology

6,755
RFQ
JANTX1N6075Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 150 V 850mA 2.04 V @ 9.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 µA @ 150 V - Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole A-PAK -65°C ~ 155°C
IDY15S120XKSA1

IDY15S120XKSA1

DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO247HC-3

Infineon Technologies

6,713
RFQ
IDY15S120XKSA1Datenblatt CoolSiC™+ TO-247-3 Variant Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 7.5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 1200 V 375pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247HC-3 -55°C ~ 150°C
SIDC105D120H8X1SA1

SIDC105D120H8X1SA1

DIODE GP 1.2KV 200A WAFER

Infineon Technologies

3,299
RFQ
SIDC105D120H8X1SA1Datenblatt - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 200A 1.41 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Sawn on foil -40°C ~ 175°C
VS-85HF140M

VS-85HF140M

DIODE GEN PURP 1.4KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,359
RFQ
VS-85HF140MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-85HF160M

VS-85HF160M

DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,896
RFQ
VS-85HF160MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1600 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-85HFR140M

VS-85HFR140M

DIODE GP REV 1.4KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,406
RFQ
VS-85HFR140MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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