Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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UTR62

UTR62

DIODE GEN PURP 600V 2A A AXIAL

Microchip Technology

2,118
RFQ
UTR62Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 2A 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 3 µA @ 600 V 40pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5419

JANTX1N5419

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Microchip Technology

9,180
RFQ
JANTX1N5419Datenblatt - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
LSIC2SD120D10

LSIC2SD120D10

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L

Littelfuse Inc.

5,546
RFQ
LSIC2SD120D10Datenblatt Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 582pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
JAN1N5420/TR

JAN1N5420/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

6,191
RFQ
JAN1N5420/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
WBST080SCM120CGALW

WBST080SCM120CGALW

WBST080SCM120CGAL/NAU000/NO MARK

WeEn Semiconductors

4,318
RFQ
WBST080SCM120CGALWDatenblatt - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
LSIC2SD065C16A

LSIC2SD065C16A

DIODE SIL CARB 650V 38A TO252

Littelfuse Inc.

9,017
RFQ
LSIC2SD065C16ADatenblatt Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 38A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
80EPF12

80EPF12

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,130
RFQ
80EPF12Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1200 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5417/TR

JANTXV1N5417/TR

DIODE GEN PURP 200V 3A

Microchip Technology

9,598
RFQ
JANTXV1N5417/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
121NQ040

121NQ040

DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,604
RFQ
121NQ040Datenblatt - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 40 V 120A 650 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 40 V 5200pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
AIDW40S65C5XKSA1

AIDW40S65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3

Infineon Technologies

3,227
RFQ
AIDW40S65C5XKSA1Datenblatt CoolSiC™ TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 40A 1.7 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 1138pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q100/101 Through Hole PG-TO247-3-41 -40°C ~ 175°C
CDLL5819E3/TR

CDLL5819E3/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

3,322
RFQ
CDLL5819E3/TRDatenblatt - DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 125°C
JANTX1N5419/TR

JANTX1N5419/TR

DIODE GEN PURP 500V 3A

Microchip Technology

4,929
RFQ
JANTX1N5419/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UT252

UT252

DIODE GEN PURP 200V 1A A AXIAL

Microchip Technology

4,679
RFQ
UT252Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1 V @ 750 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5417US

JAN1N5417US

DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

6,610
RFQ
JAN1N5417USDatenblatt - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTXV1N4248/TR

JANTXV1N4248/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

9,011
RFQ
JANTXV1N4248/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
GB10SLT12-220

GB10SLT12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

7,227
RFQ
GB10SLT12-220Datenblatt - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 520pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CN5179 BK TIN/LEAD

CN5179 BK TIN/LEAD

DIODE GEN PURP 20V DO35

Central Semiconductor Corp

7,101
RFQ
CN5179 BK TIN/LEADDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Box Obsolete Standard 20 V - 3.7 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 20 V - - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 150°C
JANTX1N5614US

JANTX1N5614US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

3,826
RFQ
JANTX1N5614USDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/437 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
SIC20120B-BP

SIC20120B-BP

Interface

Micro Commercial Co

3,825
RFQ
SIC20120B-BPDatenblatt - TO-220-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-86HF80

VS-86HF80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,650
RFQ
VS-86HF80Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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