Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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VS-87HF80

VS-87HF80

DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,211
RFQ
VS-87HF80Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-87HFR80

VS-87HFR80

DIODE GP REV 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,540
RFQ
VS-87HFR80Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
ADC6D10065A

ADC6D10065A

DIODE SIL SIC 650V 37A TO220-2

Analog Power Inc.

1
RFQ
ADC6D10065ADatenblatt WBG TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 37A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 650 V 6.3pF @ 0V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
JAN1N3595UR-1/TR

JAN1N3595UR-1/TR

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

5,068
RFQ
JAN1N3595UR-1/TRDatenblatt - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - Military MIL-PRF-19500/241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JAN1N6642/TR

JAN1N6642/TR

DIODE GEN PURP 75V 300MA

Microchip Technology

7,721
RFQ
JAN1N6642/TRDatenblatt - D, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
1N6642US/TR

1N6642US/TR

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

5,402
RFQ
1N6642US/TRDatenblatt - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N6642U/TR

1N6642U/TR

DIODE GP 100V 300MA SQ-MELF

Microchip Technology

9,848
RFQ
1N6642U/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
GP3D015A120B

GP3D015A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-2

SemiQ

7,032
RFQ
GP3D015A120BDatenblatt Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.6 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 962pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
CDLL5817

CDLL5817

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

Microchip Technology

3,619
RFQ
CDLL5817Datenblatt - DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 20 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Surface Mount DO-213AB -55°C ~ 125°C
1N5711E3/TR

1N5711E3/TR

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

2,997
RFQ
1N5711E3/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
1N6642UE3

1N6642UE3

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

2,129
RFQ
1N6642UE3Datenblatt - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
SCS210KE2C

SCS210KE2C

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247

Rohm Semiconductor

7,656
RFQ
SCS210KE2CDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 175°C (Max)
1N3064

1N3064

DIODE GEN PURP 50V 75MA DO35

Microsemi Corporation

5,894
RFQ
1N3064Datenblatt - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Obsolete Standard 50 V 75mA 1 V @ 75 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 125°C
1N3070

1N3070

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Microchip Technology

4,502
RFQ
1N3070Datenblatt - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Obsolete Standard 175 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
1N3070UR-1

1N3070UR-1

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Microchip Technology

2,830
RFQ
1N3070UR-1Datenblatt - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 175 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
CDLL1A50/TR

CDLL1A50/TR

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB

Microchip Technology

6,642
RFQ
CDLL1A50/TRDatenblatt - DO-213AB, MELF Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 50 V 0.9pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -
1N6642USE3

1N6642USE3

DIODE GP 75V 300MA B SQ-MELF

Microchip Technology

6,723
RFQ
1N6642USE3Datenblatt - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
VS-42HFR140

VS-42HFR140

DIODE GP REV 1.4KV 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,687
RFQ
VS-42HFR140Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 40A 1.5 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 160°C
VS-42HFR160

VS-42HFR160

DIODE GP REV 1.6KV 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,268
RFQ
VS-42HFR160Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 40A 1.5 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 160°C
JAN1N6620

JAN1N6620

DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Microchip Technology

8,280
RFQ
JAN1N6620Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 220 V 2A 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 220 V 10pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/585 Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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