Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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IDC28D120T6MX1SA2

IDC28D120T6MX1SA2

DIODE GP 1.2KV 50A WAFER

Infineon Technologies

8,894
RFQ
IDC28D120T6MX1SA2Datenblatt - Die Bulk Obsolete Standard 1200 V 50A 2.05 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Sawn on foil -40°C ~ 175°C
1N5415/TR

1N5415/TR

DIODE GEN PURP 50V 3A

Microchip Technology

6,985
RFQ
1N5415/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 50 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5416/TR

1N5416/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A

Microchip Technology

6,246
RFQ
1N5416/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 100 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DHG30IM600PC-TRL

DHG30IM600PC-TRL

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AA

IXYS

8,274
RFQ
DHG30IM600PC-TRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.37 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 150°C
VS-71HF20

VS-71HF20

DIODE GEN PURP 200V 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,633
RFQ
VS-71HF20Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-71HFR20

VS-71HFR20

DIODE GP REV 200V 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,345
RFQ
VS-71HFR20Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-87HFR10

VS-87HFR10

DIODE GP REV 100V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,826
RFQ
VS-87HFR10Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JAN1N5417

JAN1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,095
RFQ
JAN1N5417Datenblatt - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5806US

JAN1N5806US

DIODE GEN PURP 150V 2.5A D-5A

Microchip Technology

2,996
RFQ
JAN1N5806USDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 2.5A 975 mV @ 2.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JAN1N5811

JAN1N5811

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Microchip Technology

2,697
RFQ
JAN1N5811Datenblatt - B, Axial Bulk Active Standard 150 V 6A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
VS-72HF100

VS-72HF100

DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,498
RFQ
VS-72HF100Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-72HFR100

VS-72HFR100

DIODE GP REV 1KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,400
RFQ
VS-72HFR100Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JANTXV1N3595A-1

JANTXV1N3595A-1

DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Microchip Technology

2,505
RFQ
JANTXV1N3595A-1Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 2 nA @ 125 V - Military MIL-PRF-19500/241 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JANTX1N3957/TR

JANTX1N3957/TR

DIODE GEN PURP 1KV 1A

Microchip Technology

3,326
RFQ
JANTX1N3957/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 1 V - Military MIL-PRF-19500/228 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L

Littelfuse Inc.

7,117
RFQ
LSIC2SD120C08Datenblatt Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 454pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
JAN1N6638U/TR

JAN1N6638U/TR

DIODE GEN PURP 150V 300MA D-5B

Microchip Technology

7,605
RFQ
JAN1N6638U/TRDatenblatt - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 150 V 2.5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
JAN1N6638US/TR

JAN1N6638US/TR

DIODE GP 150V 300MA B SQ-MELF

Microchip Technology

6,677
RFQ
JAN1N6638US/TRDatenblatt - DO-213AB, MELF Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 150 V 2.5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTX1N914UR-1

JANTX1N914UR-1

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

8,568
RFQ
JANTX1N914UR-1Datenblatt - DO-213AA Bulk Active Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 1.5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
VS-80EPF06PBF

VS-80EPF06PBF

DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,809
RFQ
VS-80EPF06PBFDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 600 V 80A 1.25 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 190 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-87HF20

VS-87HF20

DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,344
RFQ
VS-87HF20Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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