Einzeldioden
| Foto | Herst.-Teilenr. | Verfügbarkeit | Menge | Datenblatt | Serie | Verpackung/Gehäuse | Verpackung | Produktstatus | Technologie | Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) | Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If | Geschwindigkeit | Sperrerholungszeit (trr) | Strom - Sperrleck @ Vr | Kapazität @ Vr, F | Klasse | Qualifizierung | Montageart | Lieferant Gerätepaket | Betriebstemperatur - Sperrschicht |
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VS-72HF60DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB |
5,429 |
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- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard | 600 V | 70A | 1.35 V @ 220 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | - | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 180°C |
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VS-72HFR60DIODE GP REV 600V 70A DO203AB |
2,235 |
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- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 600 V | 70A | 1.35 V @ 220 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | - | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 180°C |
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LSIC2SD065C10ADIODE SIL CARB 650V 27A TO252 |
8,889 |
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Gen2 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 27A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 470pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) | -55°C ~ 175°C |
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SCS308AMCDIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM |
1 |
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- | TO-220-2 Full Pack | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 8A | 1.5 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 400pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220FM | 175°C (Max) |
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1N5806USE3/TRDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A |
3,742 |
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- | SQ-MELF, A | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 150 V | 1A | 975 mV @ 2.5 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25 ns | 1 µA @ 150 V | 25pF @ 10V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D-5A | -65°C ~ 175°C |
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1N4249/TRDIODE GEN PURP 1KV 1A |
6,042 |
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- | A, Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 1000 V | 1A | 1.3 V @ 3 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5 µs | 1 µA @ 1 V | - | - | - | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
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SICB0860P-TPDIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK |
8,987 |
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- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 8A | 1.6 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 36 µA @ 650 V | 346pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D2PAK | -55°C ~ 175°C |
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JANTX1N4944/TRDIODE GEN PURP 400V 1A |
8,808 |
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- | A, Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 400 V | 1A | 1.3 V @ 1 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 150 ns | 1 µA @ 400 V | - | Military | MIL-PRF-19500/359 | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
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SIC15120Y-BPSCHOTTKY DIODES |
7,078 |
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- | TO-220-2 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 15A | 1.45 V @ 15 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | 1552pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
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JANTX1N3957DIODE GEN PURP 1KV 1A |
6,969 |
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- | A, Axial | Bulk | Active | Standard | 1000 V | 1A | 1.1 V @ 1 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 1 µA @ 1000 V | - | Military | MIL-PRF-19500/228 | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 175°C |
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JANTX1N5622/TRDIODE GEN PURP 1KV 1A |
3,611 |
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- | A, Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 1000 V | 1A | 1.3 V @ 3 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2 µs | 500 nA @ 1 V | - | Military | MIL-PRF-19500/427 | Through Hole | A, Axial | -65°C ~ 200°C |
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1N4943/TRUFR,FRR |
3,149 |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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VS-41HF40DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB |
2,910 |
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- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard | 400 V | 40A | 1.3 V @ 125 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 9 mA @ 400 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 190°C |
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VS-41HFR40DIODE GP REV 400V 40A DO203AB |
3,107 |
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- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 400 V | 40A | 1.3 V @ 125 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 9 mA @ 400 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 190°C |
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PCDD05120G1_L2_000011200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE |
4,803 |
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- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 5A | 1.7 V @ 5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 252pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252AA | -55°C ~ 175°C |
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JAN1N5415DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
4,694 |
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- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 50 V | 3A | 1.5 V @ 9 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 150 ns | 1 µA @ 50 V | - | Military | MIL-PRF-19500/411 | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
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JAN1N5416DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
7,063 |
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- | B, Axial | Bulk | Active | Standard | 100 V | 3A | 1.5 V @ 9 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 150 ns | 1 µA @ 100 V | - | Military | MIL-PRF-19500/411 | Through Hole | B, Axial | -65°C ~ 175°C |
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JAN1N6643USDIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D |
3,232 |
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- | SQ-MELF, D | Bulk | Discontinued at Digi-Key | Standard | 50 V | 300mA | 1.2 V @ 100 mA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 6 ns | 500 nA @ 75 V | 5pF @ 0V, 1MHz | Military | MIL-PRF-19500/578 | Surface Mount | D-5D | -65°C ~ 175°C |
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VS-72HF80DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB |
8,971 |
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- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard | 800 V | 70A | 1.35 V @ 220 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 9 mA @ 800 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 150°C |
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VS-72HFR80DIODE GP REV 800V 70A DO203AB |
9,161 |
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- | DO-203AB, DO-5, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 800 V | 70A | 1.35 V @ 220 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 9 mA @ 800 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-203AB (DO-5) | -65°C ~ 150°C |
Kategorieübersicht
Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe
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Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?
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Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?
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Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?
Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.
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