Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
S400Q

S400Q

DIODE GP 1.2KV 400A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

3,416
RFQ
S400QDatenblatt - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1200 V 400A 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400QR

S400QR

DIODE GP REV 1.2KV 400A DO205AB

GeneSiC Semiconductor

4,366
RFQ
S400QRDatenblatt - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 400A 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400Y

S400Y

DIODE GP 1.6KV 400A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

2,650
RFQ
S400YDatenblatt - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1600 V 400A 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400YR

S400YR

DIODE GP REV 1.6KV 400A DO205AB

GeneSiC Semiconductor

4,194
RFQ
S400YRDatenblatt - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 400A 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
1N8030-GA

1N8030-GA

DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257

GeneSiC Semiconductor

8,359
RFQ
1N8030-GADatenblatt - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 750mA 1.39 V @ 750 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
1N8031-GA

1N8031-GA

DIODE SIL CARBIDE 650V 1A TO276

GeneSiC Semiconductor

9,043
RFQ
1N8031-GADatenblatt - TO-276AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1A 1.5 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-276 -55°C ~ 250°C
1N8032-GA

1N8032-GA

DIODE SIL CARB 650V 2.5A TO257

GeneSiC Semiconductor

9,538
RFQ
1N8032-GADatenblatt - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2.5A 1.3 V @ 2.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 274pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
1N8024-GA

1N8024-GA

DIODE SIL CARB 1.2KV 750MA TO257

GeneSiC Semiconductor

6,134
RFQ
1N8024-GADatenblatt - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 750mA 1.74 V @ 750 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 66pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
1N8033-GA

1N8033-GA

DIODE SIL CARB 650V 4.3A TO276

GeneSiC Semiconductor

2,273
RFQ
1N8033-GADatenblatt - TO-276AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4.3A 1.65 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 274pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-276 -55°C ~ 250°C
1N8026-GA

1N8026-GA

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A TO257

GeneSiC Semiconductor

6,833
RFQ
1N8026-GADatenblatt - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.6 V @ 2.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 237pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
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