Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
S16KR

S16KR

DIODE GEN PURP 800V 16A DO220AA

GeneSiC Semiconductor

9,241
RFQ
S16KRDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S16M

S16M

DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA

GeneSiC Semiconductor

3,472
RFQ
S16MDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S16MR

S16MR

DIODE GEN PURP 1KV 16A DO220AA

GeneSiC Semiconductor

3,637
RFQ
S16MRDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S16Q

S16Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA

GeneSiC Semiconductor

5,768
RFQ
S16QDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S16QR

S16QR

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO220AA

GeneSiC Semiconductor

7,932
RFQ
S16QRDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
GKN26/12

GKN26/12

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,267
RFQ
GKN26/12Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/12

GKR26/12

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,589
RFQ
GKR26/12Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/14

GKR26/14

DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,146
RFQ
GKR26/14Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1400 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/16

GKR26/16

DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,961
RFQ
GKR26/16Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1600 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GC08MPS12-252

GC08MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

7,171
RFQ
GC08MPS12-252Datenblatt SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 7 µA @ 1200 V 545pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
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