Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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IGU04N60TAKMA1

IGU04N60TAKMA1

IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3

Infineon Technologies

1,476
RFQ
IGU04N60TAKMA1Datenblatt TrenchStop™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete Trench 600 V 8 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 42 W 61µJ (on), 84µJ (off) Standard 27 nC 14ns/164ns 400V, 4A, 47Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
FGA120N30DTU

FGA120N30DTU

IGBT, 120A, 300V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

364
RFQ
FGA120N30DTUDatenblatt - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete - 300 V 120 A 300 A 1.4V @ 15V, 25A 290 W - Standard 120 nC - - 21 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IRGSL15B60KDPBF

IRGSL15B60KDPBF

IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D

International Rectifier

4,950
RFQ
IRGSL15B60KDPBFDatenblatt - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active NPT 600 V 31 A 62 A 2.2V @ 15V, 15A 208 W 220µJ (on), 340µJ (off) Standard 56 nC 34ns/184ns 400V, 15A, 22Ohm, 15V 92 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

IGBT 600V 34A 125W TO247

onsemi

2,506
RFQ
HGTG7N60A4DDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 34 A 56 A 2.7V @ 15V, 7A 125 W 55µJ (on), 60µJ (off) Standard 37 nC 11ns/100ns 390V, 7A, 25Ohm, 15V 34 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IGT5E10CS

IGT5E10CS

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation

564
RFQ
IGT5E10CSDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRGSL15B60KDPBF-INF

IRGSL15B60KDPBF-INF

IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D

Infineon Technologies

250
RFQ
IRGSL15B60KDPBF-INFDatenblatt - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active NPT 600 V 31 A 62 A 2.2V @ 15V, 15A 208 W 220µJ (on), 340µJ (off) Standard 56 nC 34ns/184ns 400V, 15A, 22Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
HGT1S12N60C3

HGT1S12N60C3

27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

899
RFQ
HGT1S12N60C3Datenblatt - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active - 600 V 24 A 96 A 2V @ 15V, 12A 104 W - Standard 62 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
NGTB15N120LWG

NGTB15N120LWG

IGBT 1200V 30A 156W TO247-3

onsemi

7,064
RFQ
NGTB15N120LWGDatenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 1200 V 30 A 120 A 2.2V @ 15V, 15A 229 W 2.1mJ (on), 560µJ (off) Standard 160 nC 72ns/165ns 600V, 15A, 15Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FGB40N60SM

FGB40N60SM

IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK

onsemi

9,802
RFQ
FGB40N60SMDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Field Stop 600 V 80 A 120 A 2.3V @ 15V, 40A 349 W 870µJ (on), 260µJ (off) Standard 119 nC 12ns/92ns 400V, 40A, 6Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HGT1S12N60C3S9AR4501

HGT1S12N60C3S9AR4501

27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

2,400
RFQ
HGT1S12N60C3S9AR4501Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IGTM10N40

IGTM10N40

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation

713
RFQ
IGTM10N40Datenblatt - TO-204AA, TO-3 Bulk Active - 400 V 10 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole TO-3
HGTP10N40EID

HGTP10N40EID

17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation

225
RFQ
HGTP10N40EIDDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CY25AAJ-8F-T13#F10

CY25AAJ-8F-T13#F10

N-CHANNEL IGBT 400V, 150A

Renesas Electronics Corporation

164,800
RFQ
CY25AAJ-8F-T13#F10Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CY25CAJ-8F-T13#G11

CY25CAJ-8F-T13#G11

N-CHANNEL IGBT FOR STROBE FLASH

Renesas Electronics Corporation

9,000
RFQ
CY25CAJ-8F-T13#G11Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CY25CAH-8F-T13#F10

CY25CAH-8F-T13#F10

N-CHANNEL IGBT 400V, 150A

Renesas Electronics Corporation

9,000
RFQ
CY25CAH-8F-T13#F10Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRG4BC20UDSTRRP

IRG4BC20UDSTRRP

ULTRAFAST COPACK IGBTWITH ULTRAF

International Rectifier

4,730
RFQ
IRG4BC20UDSTRRPDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 600 V 13 A 52 A 2.1V @ 15V, 6.5A 60 W 160µJ (on), 130µJ (off) Standard 27 nC 39ns/93ns 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V 37 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AOTF5B65M1

AOTF5B65M1

IGBT 650V 5A TO220

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

835
RFQ
AOTF5B65M1Datenblatt Alpha IGBT™ TO-220-3 Tube Active - 650 V 10 A 15 A 1.98V @ 15V, 5A 25 W 80µJ (on), 70µJ (off) Standard 14 nC 8.5ns/106ns 400V, 5A, 60Ohm, 15V 195 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRG4IBC20FDPBF

IRG4IBC20FDPBF

IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

Infineon Technologies

9,820
RFQ
IRG4IBC20FDPBFDatenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete - 600 V 14.3 A 64 A 2V @ 15V, 9A 34 W 250µJ (on), 640µJ (off) Standard 27 nC 43ns/240ns 480V, 9A, 50Ohm, 15V 37 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IGTM10N40A

IGTM10N40A

N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP

Harris Corporation

200
RFQ
IGTM10N40ADatenblatt - TO-204AA Bulk Active - 400 V 10 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole TO-3
AUIRG4BC30USTRL

AUIRG4BC30USTRL

IGBT, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N

International Rectifier

6,390
RFQ
AUIRG4BC30USTRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active - 600 V 23 A 92 A 2.1V @ 15V, 12A 100 W 160µJ (on), 200µJ (off) Standard 50 nC 17ns/78ns 480V, 12A, 23Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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Einzel-IGBTs Produkte und Auswahlhilfe

Einzel-IGBTs werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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