Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

IGBT 600V 17A TO220-3

Harris Corporation

54,613
RFQ
HGTP3N60A4Datenblatt - TO-220-3 Tube Obsolete - 600 V 17 A 40 A 2.7V @ 15V, 3A 70 W 37µJ (on), 25µJ (off) Standard 21 nC 6ns/73ns 390V, 3A, 50Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRG4BC30SPBF-INF

IRG4BC30SPBF-INF

IGBT 600V 34A TO220AB

Infineon Technologies

4,000
RFQ
IRG4BC30SPBF-INFDatenblatt - TO-220-3 Bulk Active - 600 V 34 A - 1.6V @ 15V, 18A 100 W 260µJ (on), 3.45mJ (off) Standard - 22ns/540ns 480V, 18A, 23Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRG4BC30SPBF

IRG4BC30SPBF

IGBT 600V 34A TO220AB

International Rectifier

1,115
RFQ
IRG4BC30SPBFDatenblatt - TO-220-3 Bulk Active - 600 V 34 A 68 A 1.6V @ 15V, 18A 100 W 260µJ (on), 3.45mJ (off) Standard 75 nC 22ns/540ns 480V, 18A, 23Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
ISL9V3036P3

ISL9V3036P3

IGBT 360V 21A TO220-3

Fairchild Semiconductor

1,350
RFQ
ISL9V3036P3Datenblatt EcoSPARK® TO-220-3 Tube Obsolete - 360 V 21 A - 1.6V @ 4V, 6A 150 W - Logic 17 nC -/4.8µs 300V, 1kOhm, 5V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
HGT1S12N60B3DS

HGT1S12N60B3DS

IGBT 600V 27A TO263AB

Harris Corporation

1,100
RFQ
HGT1S12N60B3DSDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active - 600 V 27 A 110 A 2.1V @ 15V, 12A 104 W 304µJ (on), 250µJ (off) Standard 78 nC 26ns/150ns 480V, 12A, 25Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
HGTD8P50G1

HGTD8P50G1

IGBT 500V 12A IPAK

Harris Corporation

23,024
RFQ
HGTD8P50G1Datenblatt - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active - 500 V 12 A 18 A 3.7V @ 15V, 8A 66 W - Standard 30 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRGS4620DPBF

IRGS4620DPBF

IGBT WITH RECOVERY DIODE

International Rectifier

14,696
RFQ
IRGS4620DPBFDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete - 600 V 32 A 36 A 1.85V @ 15V, 12A 140 W 75µJ (on), 225µJ (off) Standard 25 nC 31ns/83ns 400V, 12A, 22Ohm, 15V 68 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRG4IBC30SPBF

IRG4IBC30SPBF

IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP

Infineon Technologies

5,265
RFQ
IRG4IBC30SPBFDatenblatt - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete - 600 V 23.5 A 47 A 1.6V @ 15V, 18A 45 W 260µJ (on), 3.45mJ (off) Standard 50 nC 22ns/540ns 480V, 18A, 23Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
FGPF50N30TTU

FGPF50N30TTU

IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB

Fairchild Semiconductor

800
RFQ
FGPF50N30TTUDatenblatt - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete Trench 300 V - 120 A 1.5V @ 15V, 15A 46.8 W - Standard 97 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

IGBT 600V 24A TO220-3

onsemi

5,747
RFQ
HGTP12N60C3DDatenblatt - TO-220-3 Tube Obsolete - 600 V 24 A 96 A 2.2V @ 15V, 15A 104 W 380µJ (on), 900µJ (off) Standard 48 nC - - 40 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

onsemi

690
RFQ
NGTG12N60TF1GDatenblatt * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJP30H1DPD-A0#Q2

RJP30H1DPD-A0#Q2

IGBT

Renesas Electronics Corporation

8,437
RFQ
RJP30H1DPD-A0#Q2Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJP4002ASA-00#Q0

RJP4002ASA-00#Q0

IGBT

Renesas Electronics Corporation

5,896
RFQ
RJP4002ASA-00#Q0Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGH40T65SPD-F085

FGH40T65SPD-F085

IGBT NPT 650V 80A TO247-3

onsemi

2,940
RFQ
FGH40T65SPD-F085Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete NPT 650 V 80 A 120 A 2.4V @ 15V, 40A 267 W 1.16mJ (on), 270µJ (off) Standard 36 nC 18ns/35ns 400V, 40A, 6Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
SKB15N60E8151

SKB15N60E8151

IGBT NPT 600V 31A TO263-3

Infineon Technologies

1,288
RFQ
SKB15N60E8151Datenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active NPT 600 V 31 A 62 A 2.4V @ 15V, 15A 139 W 570µJ Standard 76 nC 32ns/234ns 400V, 15A, 21Ohm, 15V 279 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
TIG052TS-TL-E

TIG052TS-TL-E

IGBT 400V 8TSSOP

onsemi

3,458
RFQ
TIG052TS-TL-EDatenblatt - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - 400 V - 150 A 5.5V @ 2.5V, 150A - - Standard - - - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
IKW03N120H2FKSA1

IKW03N120H2FKSA1

IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

Infineon Technologies

6,471
RFQ
IKW03N120H2FKSA1Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete - 1200 V 9.6 A 9.9 A 2.8V @ 15V, 3A 62.5 W 290µJ Standard 22 nC 9.2ns/281ns 800V, 3A, 82Ohm, 15V 42 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL

IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

326
RFQ
HGTP20N35G3VLDatenblatt - TO-220-3 Bulk Active - 380 V 20 A - 2.8V @ 5V, 20A 150 W - Logic 28.7 nC - - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SKB15N60ATMA1

SKB15N60ATMA1

IGBT 600V 31A 139W TO263-3

Infineon Technologies

3,980
RFQ
SKB15N60ATMA1Datenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete NPT 600 V 31 A 62 A 2.4V @ 15V, 15A 139 W 570µJ Standard 76 nC 32ns/234ns 400V, 15A, 21Ohm, 15V 279 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
FGAF20S65AQ

FGAF20S65AQ

IGBT 650V 20A TO-3PF

onsemi

6,489
RFQ
FGAF20S65AQDatenblatt - TO-3P-3 Full Pack Bulk Obsolete Trench Field Stop 650 V 40 A 60 A 2.1V @ 15V, 20A 75 W 345µJ (on), 95µJ (off) Standard 38 nC 18ns/102ns 400V, 10A, 23Ohm, 15V 235 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF-3
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