Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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HERAF805G

HERAF805G

DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF805GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 400 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 80pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF806G

HERAF806G

DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF806GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF804G

HERAF804G

DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF804GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 300 V 8A 1 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 300 V 80pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF1006G

HERAF1006G

DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF1006GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF1005G

HERAF1005G

DIODE GEN PURP 400V 10A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF1005GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 400 V 10A 1.3 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 80pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF1006GH

HERAF1006GH

80NS, 10A, 600V, HIGH EFFICIENT

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF1006GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF805GH

HERAF805GH

50NS, 8A, 400V, HIGH EFFICIENT R

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF805GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 400 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 80pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF1005GH

HERAF1005GH

50NS, 10A, 400V, HIGH EFFICIENT

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF1005GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 400 V 10A 1.3 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 80pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF808GH

HERAF808GH

80NS, 8A, 1000V, HIGH EFFICIENT

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF808GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1000 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 10 µA @ 1000 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF807GH

HERAF807GH

80NS, 8A, 800V, HIGH EFFICIENT R

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF807GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 800 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 10 µA @ 800 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF806GH

HERAF806GH

80NS, 8A, 600V, HIGH EFFICIENT R

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERAF806GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF804GH

HERAF804GH

50NS, 8A, 300V, HIGH EFFICIENT R

Taiwan Semiconductor Corporation

999
RFQ
HERAF804GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 300 V 8A 1 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 300 V 80pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
SFAF808GH

SFAF808GH

35NS, 8A, 600V, SUPER FAST RECOV

Taiwan Semiconductor Corporation

996
RFQ
SFAF808GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
HERAF1004GH

HERAF1004GH

50NS, 10A, 300V, HIGH EFFICIENT

Taiwan Semiconductor Corporation

990
RFQ
HERAF1004GHDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 300 V 10A 1 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 300 V 80pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
P2500B

P2500B

DIODE GEN PURP 100V 25A P600

Diotec Semiconductor

930
RFQ
P2500BDatenblatt - P600, Axial Cut Tape (CT) Active Standard 100 V 25A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 100 V - - - Through Hole P-600 -50°C ~ 175°C
SFAF808G

SFAF808G

DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

920
RFQ
SFAF808GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
1N4153UR/TR

1N4153UR/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

610
RFQ
1N4153UR/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
HERAF1007G

HERAF1007G

DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

450
RFQ
HERAF1007GDatenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 800 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 10 µA @ 800 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
NRTS12100PFST3G

NRTS12100PFST3G

DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3

onsemi

5,000
RFQ
NRTS12100PFST3GDatenblatt - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 120 µA @ 100 V 930pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-277-3 -55°C ~ 175°C
HERA804G

HERA804G

DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
HERA804GDatenblatt - TO-220-2 Tube Active Standard 300 V 8A 1 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 300 V 65pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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