Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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VT4045BP-M3/4W

VT4045BP-M3/4W

DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

886
RFQ
VT4045BP-M3/4WDatenblatt TMBS® TO-220-2 Tube Active Schottky 45 V 40A 670 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 45 V - - - Through Hole TO-220AC 200°C (Max)
STPS30M60SG-TR

STPS30M60SG-TR

DIODE SCHOTTKY 60V 30A D2PAK

STMicroelectronics

7,560
RFQ
STPS30M60SG-TRDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 30A 590 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 165 µA @ 60 V - - - Surface Mount D2PAK 150°C (Max)
MUR8100EG

MUR8100EG

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2

onsemi

4,260
RFQ
MUR8100EGDatenblatt SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Active Standard 1000 V 8A 1.8 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 25 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
DST2080S

DST2080S

DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO277B

Littelfuse Inc.

27,168
RFQ
DST2080SDatenblatt - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 80 V 20A 700 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 80 V - - - Surface Mount TO-277B -55°C ~ 150°C
MBRB8H100T4G

MBRB8H100T4G

DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK

onsemi

2,489
RFQ
MBRB8H100T4GDatenblatt SWITCHMODE™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 8A 710 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 4.5 µA @ 100 V 600pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -65°C ~ 175°C
VFT4045BP-M3/4W

VFT4045BP-M3/4W

DIODE SCHOTTKY 45V 40A ITO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,064
RFQ
VFT4045BP-M3/4WDatenblatt TMBS® TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Schottky 45 V 40A 670 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 45 V - - - Through Hole ITO-220AC 200°C (Max)
QH12TZ600

QH12TZ600

DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC

Power Integrations

550
RFQ
QH12TZ600Datenblatt Qspeed™ TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 12A 3.1 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 11.6 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
STPS5045SG-TR

STPS5045SG-TR

DIODE SCHOTTKY 45V 50A D2PAK

STMicroelectronics

48,808
RFQ
STPS5045SG-TRDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 50A 610 mV @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 360 µA @ 45 V - - - Surface Mount D2PAK 200°C (Max)
STTH3002G-TR

STTH3002G-TR

DIODE GEN PURP 200V 30A D2PAK

STMicroelectronics

3,559
RFQ
STTH3002G-TRDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 30A 1.05 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 200 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
SBR12U45LH1-13

SBR12U45LH1-13

DIODE SBR 45V 12A POWERDI5SP

Diodes Incorporated

25,454
RFQ
SBR12U45LH1-13Datenblatt SBR® PowerDI™ 5SP Tape & Reel (TR) Active Super Barrier 45 V 12A 500 mV @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 45 V - - - Surface Mount PowerDI5SP™ -65°C ~ 150°C
MBR40250G

MBR40250G

DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220-2

onsemi

1,871
RFQ
MBR40250GDatenblatt SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Active Schottky 250 V 40A 970 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 30 µA @ 250 V 500pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
APT30D60BG

APT30D60BG

DIODE GP 600V 30A TO247

Microchip Technology

1,897
RFQ
APT30D60BGDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
DSEI8-06A

DSEI8-06A

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

IXYS

6,543
RFQ
DSEI8-06ADatenblatt FRED TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 8A 1.5 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
1N649-1

1N649-1

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Microchip Technology

1,065
RFQ
1N649-1Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 600 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
MBR40250TG

MBR40250TG

DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220

onsemi

2,129
RFQ
MBR40250TGDatenblatt SWITCHMODE™ TO-220-3 Tube Active Schottky 250 V 40A 970 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 30 µA @ 250 V 500pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-220 -65°C ~ 150°C
STTH5R06DJF-TR

STTH5R06DJF-TR

DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT

STMicroelectronics

7,432
RFQ
STTH5R06DJF-TRDatenblatt - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 5A 2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 60 µA @ 600 V - - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) 175°C (Max)
VS-HFA08SD60S-M3

VS-HFA08SD60S-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,449
RFQ
VS-HFA08SD60S-M3Datenblatt HEXFRED® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
VS-HFA16TB120S-M3

VS-HFA16TB120S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,790
RFQ
VS-HFA16TB120S-M3Datenblatt HEXFRED® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 16A 3.93 V @ 32 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 135 ns 20 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 150°C
IDH04G65C6XKSA1

IDH04G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

Infineon Technologies

6,045
RFQ
IDH04G65C6XKSA1Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 14 µA @ 420 V 205pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
GB01SLT12-214

GB01SLT12-214

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB

GeneSiC Semiconductor

575
RFQ
GB01SLT12-214Datenblatt SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2.5A 1.8 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 69pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AA (SMB) -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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