Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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VS-35EPF12LHM3

VS-35EPF12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

169
RFQ
VS-35EPF12LHM3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 35A 1.47 V @ 35 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
MSC010SDA120B

MSC010SDA120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247

Microchip Technology

1,511
RFQ
MSC010SDA120BDatenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
JAN1N5552

JAN1N5552

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

152
RFQ
JAN1N5552Datenblatt - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
SCS210AGC17

SCS210AGC17

DIODE SIC 650V 10A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

1,918
RFQ
SCS210AGC17Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.55 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
STTH3006PI

STTH3006PI

DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I

STMicroelectronics

444
RFQ
STTH3006PIDatenblatt - DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.85 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole DOP3I 175°C (Max)
VS-E5PH6012LHN3

VS-E5PH6012LHN3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

334
RFQ
VS-E5PH6012LHN3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-E5PH6012L-N3

VS-E5PH6012L-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

113
RFQ
VS-E5PH6012L-N3Datenblatt FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
S4D08120E

S4D08120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A DPAK

SMC Diode Solutions

2,606
RFQ
S4D08120EDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
SCS206AGC17

SCS206AGC17

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

638
RFQ
SCS206AGC17Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.55 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 600 V 219pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
VS-E5PX6012L-N3

VS-E5PX6012L-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

165
RFQ
VS-E5PX6012L-N3Datenblatt FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 3.15 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
1N5619

1N5619

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

301
RFQ
1N5619Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 500 nA @ 600 V 25pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-40EPS08-M3

VS-40EPS08-M3

DIODE GP 800V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

678
RFQ
VS-40EPS08-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 800 V 40A 1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-65PQ015-N3

VS-65PQ015-N3

DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

103
RFQ
VS-65PQ015-N3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Schottky 15 V 65A 500 mV @ 65 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 18 mA @ 15 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 125°C
VS-E5PH7512L-N3

VS-E5PH7512L-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,490
RFQ
VS-E5PH7512L-N3Datenblatt FRED Pt® Gen 5 TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 75A 2.6 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 145 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
RRD20TJ10SGC9

RRD20TJ10SGC9

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

219
RFQ
RRD20TJ10SGC9Datenblatt - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1000 V 20A 1.05 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220ACFP 150°C
C3D06065E

C3D06065E

DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,387
RFQ
C3D06065EDatenblatt Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Not For New Designs SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDH08SG60CXKSA2

IDH08SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-1

Infineon Technologies

1,662
RFQ
IDH08SG60CXKSA2Datenblatt CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 8A 2.1 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 600 V 240pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-30EPF12-M3

VS-30EPF12-M3

DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

443
RFQ
VS-30EPF12-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 1.41 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-30EPF06-M3

VS-30EPF06-M3

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
RFQ
VS-30EPF06-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
C6D10065G-TR

C6D10065G-TR

DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,525
RFQ
C6D10065G-TRDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 36A 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
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Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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