Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
NC1D120C10ATNG

NC1D120C10ATNG

SiC Schottky 1200V 10A TO220- 2L

NovuSem

500
RFQ
NC1D120C10ATNGDatenblatt NC1D TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 670pF @ 0.1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
NC1D120C20KTNG

NC1D120C20KTNG

SiC Schottky 1200V 20A TO247- 2L

NovuSem

500
RFQ
NC1D120C20KTNGDatenblatt NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 1371pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
NC1D120C30KTNG

NC1D120C30KTNG

SiC Schottky 1200V 30A TO247- 2L

NovuSem

300
RFQ
NC1D120C30KTNGDatenblatt NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 85 µA @ 1200 V 2125pF @ 0.1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
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