Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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1N5401GHA0G

1N5401GHA0G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

2,389
RFQ
1N5401GHA0GDatenblatt - DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Discontinued at Digi-Key Standard 100 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 25pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N5402G A0G

1N5402G A0G

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

9,320
RFQ
1N5402G A0GDatenblatt - DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 200 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V 25pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N5402GHA0G

1N5402GHA0G

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

5,431
RFQ
1N5402GHA0GDatenblatt - DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 200 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V 25pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

5,199
RFQ
1N5406GHA0GDatenblatt - DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 600 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V 25pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

7,699
RFQ
1N5407GHA0GDatenblatt - DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V 25pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N5822 A0G

1N5822 A0G

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

4,902
RFQ
1N5822 A0GDatenblatt - DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Schottky 40 V 3A 525 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V 200pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -55°C ~ 125°C
1T4G A0G

1T4G A0G

DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Taiwan Semiconductor Corporation

7,410
RFQ
1T4G A0GDatenblatt - T-18, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 400 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V 10pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TS-1 -55°C ~ 150°C
1T5G A0G

1T5G A0G

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Taiwan Semiconductor Corporation

4,347
RFQ
1T5G A0GDatenblatt - T-18, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 600 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V 10pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TS-1 -55°C ~ 150°C
1T7G A0G

1T7G A0G

DIODE GEN PURP 1A TS-1

Taiwan Semiconductor Corporation

5,506
RFQ
1T7G A0GDatenblatt - T-18, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 1000 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 10pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TS-1 -55°C ~ 150°C
2A02G A0G

2A02G A0G

DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

4,489
RFQ
2A02G A0GDatenblatt - DO-204AC, DO-15, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 100 V 2A 1.1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
2A07GHA0G

2A07GHA0G

DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

3,929
RFQ
2A07GHA0GDatenblatt - DO-204AC, DO-15, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 1000 V 2A 1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
3A100HA0G

3A100HA0G

DIODE GEN PURP 3A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

4,176
RFQ
3A100HA0GDatenblatt - DO-204AC, DO-15, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 1000 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 27pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
3A60HA0G

3A60HA0G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

7,092
RFQ
3A60HA0GDatenblatt - DO-204AC, DO-15, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 600 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V 27pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
6A100G A0G

6A100G A0G

DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

4,936
RFQ
6A100G A0GDatenblatt - R-6, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 1000 V 6A 1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A10G A0G

6A10G A0G

DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

9,402
RFQ
6A10G A0GDatenblatt - R-6, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 100 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A10GHA0G

6A10GHA0G

DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

6,202
RFQ
6A10GHA0GDatenblatt - R-6, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 100 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A40G A0G

6A40G A0G

DIODE GEN PURP 400V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

8,804
RFQ
6A40G A0GDatenblatt - R-6, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 400 V 6A 1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A40GHA0G

6A40GHA0G

DIODE GEN PURP 400V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

7,417
RFQ
6A40GHA0GDatenblatt - R-6, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 400 V 6A 1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A60G A0G

6A60G A0G

DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

8,673
RFQ
6A60G A0GDatenblatt - R-6, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 600 V 6A 1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A80G A0G

6A80G A0G

DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

3,113
RFQ
6A80G A0GDatenblatt - R-6, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 800 V 6A 1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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