Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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GP3D005A170B

GP3D005A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2

SemiQ

1,517
RFQ
GP3D005A170BDatenblatt Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 21A 1.65 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 347pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A170B

GP3D010A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2

SemiQ

360
RFQ
GP3D010A170BDatenblatt Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 39A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 699pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D030A065B

GP3D030A065B

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2

SemiQ

142
RFQ
GP3D030A065BDatenblatt Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 650 V 1247pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D006A065A

GP3D006A065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L

SemiQ

50
RFQ
GP3D006A065ADatenblatt Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 15 µA @ 650 V 229pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
GP3D020A170B

GP3D020A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2

SemiQ

39
RFQ
GP3D020A170BDatenblatt Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 67A 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1700 V 1403pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D050A120B

GP3D050A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

SemiQ

44
RFQ
GP3D050A120BDatenblatt Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 3040pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D020A065B

GP3D020A065B

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2

SemiQ

99
RFQ
GP3D020A065BDatenblatt Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 835pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A120A

GP3D010A120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

SemiQ

6
RFQ
GP3D010A120ADatenblatt Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 608pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D015A120A

GP3D015A120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2

SemiQ

10
RFQ
GP3D015A120ADatenblatt Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.6 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 962pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP2D003A060C

GP2D003A060C

DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L

SemiQ

8,478
RFQ
GP2D003A060CDatenblatt Amp+™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 3A 1.65 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 600 V 158pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L (DPAK) -55°C ~ 175°C
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