Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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APT100DL60BG

APT100DL60BG

DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Microchip Technology

5,848
RFQ
APT100DL60BGDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 100A 1.6 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
JANTXV1N6629US

JANTXV1N6629US

DIODE GEN PURP 800V 1.4A D-5B

Microsemi Corporation

3,276
RFQ
JANTXV1N6629USDatenblatt - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 800 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2 µA @ 800 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
DNA30E2200PC

DNA30E2200PC

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263AA

IXYS

4,835
RFQ
DNA30E2200PCDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
DNA30EM2200PC

DNA30EM2200PC

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263AA

IXYS

4,350
RFQ
DNA30EM2200PCDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
TRS6E65C,S1AQ

TRS6E65C,S1AQ

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

5,245
RFQ
TRS6E65C,S1AQDatenblatt - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 35pF @ 650V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C (Max)
TRS12E65C,S1Q

TRS12E65C,S1Q

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

3,177
RFQ
TRS12E65C,S1QDatenblatt - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 170 V 65pF @ 650V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C (Max)
JANTX1N6629US

JANTX1N6629US

DIODE GEN PURP 880V 1.4A D-5B

Microsemi Corporation

6,147
RFQ
JANTX1N6629USDatenblatt - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 880 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 2 µA @ 880 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
MSG105

MSG105

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

Microsemi Corporation

3,206
RFQ
MSG105Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 50 V 1A 690 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 50 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
MSG109

MSG109

DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO204AL

Microsemi Corporation

3,590
RFQ
MSG109Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 90 V 1A 810 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 90 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
DB3Y501KEL

DB3Y501KEL

DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOT23-3

Panasonic Electronic Components

6,334
RFQ
DB3Y501KELDatenblatt - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 50 V 200mA 550 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.6 ns 200 µA @ 50 V 4pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 125°C (Max)
BAS16

BAS16

DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

Panasonic Electronic Components

2,899
RFQ
BAS16Datenblatt - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 80 V 200mA 1.25 V @ 150 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 ns 100 nA @ 80 V 1.2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SC-59-3 150°C (Max)
DB2U31600L

DB2U31600L

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923

Panasonic Electronic Components

9,495
RFQ
DB2U31600LDatenblatt - SOD-923 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 100mA 550 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 800 ps 15 µA @ 30 V 2pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount SOD-923 125°C (Max)
1N4534

1N4534

DIODE GEN PURP 50V 150MA DO34

Microsemi Corporation

4,779
RFQ
1N4534Datenblatt - DO-204AG, DO-34, Axial Bulk Active Standard 50 V 150mA 880 mV @ 20 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 50 nA @ 50 V - - - Through Hole DO-34 -65°C ~ 175°C
DSB1A20

DSB1A20

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL

Microchip Technology

9,411
RFQ
DSB1A20Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 20 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -
DSB1A30

DSB1A30

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL

Microchip Technology

6,717
RFQ
DSB1A30Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 30 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 30 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -
DSB1A50

DSB1A50

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

Microchip Technology

3,352
RFQ
DSB1A50Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 50 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 50 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -
DSB2810

DSB2810

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

2,609
RFQ
DSB2810Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 410 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 nA @ 15 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
DSB3A20

DSB3A20

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO204AH

Microchip Technology

8,989
RFQ
DSB3A20Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 3A 500 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 125°C
DSB5817

DSB5817

DIODE SCHOTTKY DO-41

Microchip Technology

3,121
RFQ
DSB5817Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
DSB5818

DSB5818

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL

Microchip Technology

2,637
RFQ
DSB5818Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 30 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 nA @ 30 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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