Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
PCFFS20120AF

PCFFS20120AF

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 20A DIE

onsemi

2,615
RFQ
PCFFS20120AFDatenblatt - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.723 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
FFSH30120A

FFSH30120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2

onsemi

4,330
RFQ
FFSH30120ADatenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1740pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH5065A

FFSH5065A

DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-2

onsemi

5,579
RFQ
FFSH5065ADatenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 60A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 2530pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
PCFFS30120AF

PCFFS30120AF

DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE

onsemi

3,142
RFQ
PCFFS30120AFDatenblatt - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A 1.75 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1740pf @ 1V, 100kHz - - Surface Mount Die -55°C ~ 175°C
PCFFS50120AF

PCFFS50120AF

DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE

onsemi

9,404
RFQ
PCFFS50120AFDatenblatt - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
HBL2010BRP

HBL2010BRP

1 CHANNEL ESD PROTECTOR

onsemi

7,956
RFQ
HBL2010BRPDatenblatt * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
FDH300

FDH300

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

onsemi

9,175
RFQ
FDH300Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard 125 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 nA @ 125 V 6pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
MUR1520

MUR1520

DIODE GEN PURP 200V 15A TO220-2

onsemi

5,249
RFQ
MUR1520Datenblatt SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Obsolete Standard 200 V 15A 1.05 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
MUR1560

MUR1560

DIODE SUPERFST TO220AC 600V 50NS

onsemi

4,689
RFQ
MUR1560Datenblatt SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 15A 1.5 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
MUR820

MUR820

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

onsemi

5,699
RFQ
MUR820Datenblatt SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Obsolete Standard 200 V 8A 975 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
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