Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
S3580

S3580

DIODE GEN PURP 800V 70A DO5

Microchip Technology

6,802
RFQ
S3580Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 70A 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 800 V - - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
VS-150KS10

VS-150KS10

DIODE GEN PURP 100V 150A B-42

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,454
RFQ
VS-150KS10Datenblatt - B-42 Bulk Obsolete Standard 100 V 150A 1.33 V @ 471 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount B-42 -40°C ~ 200°C
VS-45LR60

VS-45LR60

DIODE GP REV 600V 150A DO205AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,863
RFQ
VS-45LR60Datenblatt - DO-205AC, DO-30, Stud Bulk Obsolete Standard, Reverse Polarity 600 V 150A 1.33 V @ 471 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-205AC (DO-30) -40°C ~ 200°C
R5100210XXWA

R5100210XXWA

DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Powerex Inc.

3,956
RFQ
R5100210XXWADatenblatt - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Obsolete Standard 200 V 100A 1.55 V @ 470 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 7 µs 30 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -65°C ~ 200°C
GB50MPS17-247

GB50MPS17-247

DIODE SIL CARB 1.7KV 216A TO247

GeneSiC Semiconductor

8,188
RFQ
GB50MPS17-247Datenblatt SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 216A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1700 V 3193pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5809URS/TR

1N5809URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

3,076
RFQ
1N5809URS/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5811URS/TR

1N5811URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,814
RFQ
1N5811URS/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5807URS/TR

1N5807URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,843
RFQ
1N5807URS/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
UES1106SM

UES1106SM

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,773
RFQ
UES1106SMDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1105SM

UES1105SM

DIODE GEN PURP 300V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,336
RFQ
UES1105SMDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 300 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1106SM-1

UES1106SM-1

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,362
RFQ
UES1106SM-1Datenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1104SM

UES1104SM

DIODE GEN PURP 200V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,802
RFQ
UES1104SMDatenblatt - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 2A 1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 200 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
R35120

R35120

RECTIFIER

Microchip Technology

8,925
RFQ
R35120Datenblatt R35 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 70A 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
S35120

S35120

DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO5

Microchip Technology

2,221
RFQ
S35120Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 70A 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
1N6642UB2R

1N6642UB2R

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

6,328
RFQ
1N6642UB2RDatenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1106SM/TR

UES1106SM/TR

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,978
RFQ
UES1106SM/TRDatenblatt - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1105SM/TR

UES1105SM/TR

DIODE GEN PURP 300V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,908
RFQ
UES1105SM/TRDatenblatt - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1106SM-1/TR

UES1106SM-1/TR

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,606
RFQ
UES1106SM-1/TRDatenblatt - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
70UR120D

70UR120D

DIODE GP 1.2KV 250A DO205AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,306
RFQ
70UR120DDatenblatt - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 250A 1.3 V @ 785 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 60 mA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -40°C ~ 200°C
GB02SHT03-46

GB02SHT03-46

DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46

GeneSiC Semiconductor

4,712
RFQ
GB02SHT03-46Datenblatt - TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 300 V 4A 1.6 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 300 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-46 -55°C ~ 225°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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