Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
MBR7545R

MBR7545R

DIODE SCHOTTKY REV 45V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

7,926
RFQ
MBR7545RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 75A 650 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
MBR7560R

MBR7560R

DIODE SCHOTTKY REV 60V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,088
RFQ
MBR7560RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 60 V 75A 750 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 60 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
MBR7580R

MBR7580R

DIODE SCHOTTKY REV 80V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,662
RFQ
MBR7580RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 80 V 75A 840 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 80 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
UES1106E3

UES1106E3

RECTIFIER

Microchip Technology

3,048
RFQ
UES1106E3Datenblatt - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
VS-86HF80M

VS-86HF80M

DIODE GP REV 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,256
RFQ
VS-86HF80MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-86HFR80M

VS-86HFR80M

DIODE GP REV 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,134
RFQ
VS-86HFR80MDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
UES1102

UES1102

DIODE GEN PURP 100V 2A A AXIAL

Microchip Technology

5,904
RFQ
UES1102Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 175°C
VS-T40HFL60S02

VS-T40HFL60S02

DIODE GEN PURP 600V 40A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,120
RFQ
VS-T40HFL60S02Datenblatt - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 40A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 100 µA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
1N6076

1N6076

DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

8,886
RFQ
1N6076Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 50 V 1.3A 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N6077

1N6077

DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

6,073
RFQ
1N6077Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.3A 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N4500

1N4500

DIODE GEN PURP DO35

Microchip Technology

9,707
RFQ
1N4500Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard - - 1.1 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 6 ns - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
GATELEAD28133HPSA1

GATELEAD28133HPSA1

ACCY GATE LEAD FOR MODULE

Infineon Technologies

4,316
RFQ
GATELEAD28133HPSA1Datenblatt * - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
UES1106/TR

UES1106/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

6,461
RFQ
UES1106/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
VS-T40HF120

VS-T40HF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,357
RFQ
VS-T40HF120Datenblatt - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1200 V 40A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount D-55 -
PCFFS50120AF

PCFFS50120AF

DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE

onsemi

9,404
RFQ
PCFFS50120AFDatenblatt - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
UES1106E3/TR

UES1106E3/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

8,948
RFQ
UES1106E3/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

6,529
RFQ
JANTXV1N6626Datenblatt - E, Axial Bulk Active Standard 220 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
VS-240NQ045PBF

VS-240NQ045PBF

DIODE SCHOTTKY 45V 240A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,801
RFQ
VS-240NQ045PBFDatenblatt - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky 45 V 240A 720 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 45 V 14800pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
MBR80100R

MBR80100R

DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,418
RFQ
MBR80100RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 100 V 80A 840 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
MBR8020R

MBR8020R

DIODE SCHOTTKY REV 20V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,688
RFQ
MBR8020RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 20 V 80A 750 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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