Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
FR16M05

FR16M05

DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4

GeneSiC Semiconductor

9,146
RFQ
FR16M05Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 16A 1.1 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
JANTXV1N4249

JANTXV1N4249

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Microchip Technology

5,395
RFQ
JANTXV1N4249Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5819-1

1N5819-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

Microchip Technology

5,535
RFQ
1N5819-1Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 45 V 1A 340 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 125°C
1N5819

1N5819

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Microchip Technology

9,493
RFQ
1N5819Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 125°C
1N5819G

1N5819G

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41

Microchip Technology

4,858
RFQ
1N5819GDatenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 40 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 150°C
S40MR

S40MR

DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

9,813
RFQ
S40MRDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
S40V

S40V

DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,493
RFQ
S40VDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1400 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 160°C
1N6638US/TR

1N6638US/TR

DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5D

Microchip Technology

3,027
RFQ
1N6638US/TRDatenblatt - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 125 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N6638U/TR

1N6638U/TR

DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5B

Microchip Technology

3,656
RFQ
1N6638U/TRDatenblatt - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns 500 nA @ 150 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
JANTX1N5819-1

JANTX1N5819-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

Microchip Technology

7,200
RFQ
JANTX1N5819-1Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 45 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 125°C
JANTXV1N5620

JANTXV1N5620

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

7,032
RFQ
JANTXV1N5620Datenblatt - A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JANTXV1N4245/TR

JANTXV1N4245/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

3,562
RFQ
JANTXV1N4245/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-88HF100

VS-88HF100

DIODE GEN PURP 1KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,713
RFQ
VS-88HF100Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-88HFR100

VS-88HFR100

DIODE GP REV 1KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,878
RFQ
VS-88HFR100Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-41HFR120

VS-41HFR120

DIODE GP REV 1.2KV 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,255
RFQ
VS-41HFR120Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
1N4249US/TR

1N4249US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

6,638
RFQ
1N4249US/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4246US/TR

1N4246US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

8,427
RFQ
1N4246US/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4248US/TR

1N4248US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,219
RFQ
1N4248US/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4247US/TR

1N4247US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

9,818
RFQ
1N4247US/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4245US/TR

1N4245US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

2,430
RFQ
1N4245US/TRDatenblatt - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

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