Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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1N6641

1N6641

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

6,025
RFQ
1N6641Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N6643US/TR

1N6643US/TR

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

Microchip Technology

3,341
RFQ
1N6643US/TRDatenblatt - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 50 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6643U/TR

1N6643U/TR

DIODE GP 75V 300MA SQ-MELF B

Microchip Technology

4,632
RFQ
1N6643U/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
CD5809

CD5809

UFR,FRR

Microchip Technology

3,136
RFQ
CD5809Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
CD5811

CD5811

UFR,FRR

Microchip Technology

7,785
RFQ
CD5811Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
JAN1N6640US/TR

JAN1N6640US/TR

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

Microchip Technology

3,520
RFQ
JAN1N6640US/TRDatenblatt - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 300mA 1 V @ 300 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/609 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
JANTX1N5809/TR

JANTX1N5809/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A

Microchip Technology

8,243
RFQ
JANTX1N5809/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5807/TR

JANTX1N5807/TR

DIODE GEN PURP 50V 3A

Microchip Technology

4,655
RFQ
JANTX1N5807/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
SCS110AMC

SCS110AMC

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

4,548
RFQ
SCS110AMCDatenblatt - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 430pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 150°C (Max)
1N5811USE3

1N5811USE3

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

6,776
RFQ
1N5811USE3Datenblatt - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N457AUR

1N457AUR

DIODE GP 70V 150MA DO213AA

Microchip Technology

2,234
RFQ
1N457AURDatenblatt - DO-213AA Bulk Active Standard 70 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 µA @ 70 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
DGS9-025AS

DGS9-025AS

DIODE SCHOTTKY 250V 12A TO252AA

IXYS

4,844
RFQ
DGS9-025ASDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete Schottky 250 V 12A 1.5 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 250 V - - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
1N3614/TR

1N3614/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

7,516
RFQ
1N3614/TRDatenblatt - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 800 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5550US/TR

1N5550US/TR

DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

5,051
RFQ
1N5550US/TRDatenblatt - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5550USE3

1N5550USE3

DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

8,708
RFQ
1N5550USE3Datenblatt - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
VS-80APF02-M3

VS-80APF02-M3

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,385
RFQ
VS-80APF02-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 200 V 80A 1.25 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 190 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-80APF04-M3

VS-80APF04-M3

DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,804
RFQ
VS-80APF04-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 80A 1.25 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 190 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Microchip Technology

5,866
RFQ
JAN1N5819-1Datenblatt - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V - Military MIL-PRF-19500/586 Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
1N5809E3/TR

1N5809E3/TR

DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL

Microchip Technology

3,919
RFQ
1N5809E3/TRDatenblatt - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 6A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5551USE3

1N5551USE3

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

7,996
RFQ
1N5551USE3Datenblatt - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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