Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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CD1A45

CD1A45

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DIE

Microchip Technology

2,337
RFQ
CD1A45Datenblatt - Die Bulk Active Schottky 45 V 1A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V - - - Surface Mount Die 125°C
1N457

1N457

DIODE GEN PURP 60V 150MA DO35

Microchip Technology

2,743
RFQ
1N457Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 60 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 60 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
1N456

1N456

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

4,703
RFQ
1N456Datenblatt * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N456A

1N456A

DIODE GEN PURP 500MA DO35

Microchip Technology

5,288
RFQ
1N456ADatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard - 500mA - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C
30CPF12

30CPF12

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,330
RFQ
30CPF12Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1200 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
30EPF10

30EPF10

DIODE GP 1KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,789
RFQ
30EPF10Datenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1000 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-30EPH06HN3

VS-30EPH06HN3

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,953
RFQ
VS-30EPH06HN3Datenblatt FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 31 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
VS-1N3624

VS-1N3624

DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,399
RFQ
VS-1N3624Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 700 V 12A 1.35 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 900 µA @ 700 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 200°C
VS-1N3624R

VS-1N3624R

DIODE GP REV 700V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,136
RFQ
VS-1N3624RDatenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 700 V 12A 1.35 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 900 µA @ 700 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 200°C
DSC10065D1

DSC10065D1

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252

Diodes Incorporated

5,482
RFQ
DSC10065D1Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 650 V 400pF @ 100mV, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (Type WX) -55°C ~ 175°C
40EPF06

40EPF06

DIODE GP 600V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,005
RFQ
40EPF06Datenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 40A 1.25 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
WNSC06650T6J

WNSC06650T6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN

WeEn Semiconductors

2
RFQ
WNSC06650T6JDatenblatt - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) 175°C (Max)
IDD04S60CBUMA1

IDD04S60CBUMA1

DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31

Infineon Technologies

2,579
RFQ
IDD04S60CBUMA1Datenblatt CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 5.6A 1.9 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3-11 -55°C ~ 175°C
JAN1N914UR/TR

JAN1N914UR/TR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

7,879
RFQ
JAN1N914UR/TRDatenblatt - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
APT30D120SG

APT30D120SG

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A D3

Microchip Technology

5,658
RFQ
APT30D120SGDatenblatt - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 30A 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 370 ns 250 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
MBRB4030

MBRB4030

DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK

onsemi

2,653
RFQ
MBRB4030Datenblatt SWITCHMODE™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Schottky 30 V 40A 550 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 30 V - - - Surface Mount D2PAK -65°C ~ 175°C
DPF30I600AHA

DPF30I600AHA

POWER DIODE DISCRETES-FRED TO-24

IXYS

2,293
RFQ
DPF30I600AHADatenblatt - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
STPSC20065CWL

STPSC20065CWL

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247

STMicroelectronics

9,508
RFQ
STPSC20065CWLDatenblatt ECOPACK®2 TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247 Long Leads -40°C ~ 175°C
VSD3913

VSD3913

DIODE GEN PURP 400V 30A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,659
RFQ
VSD3913Datenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Obsolete Standard 400 V 30A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -
VSD3913R

VSD3913R

DIODE GEN PURP 400V 30A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,773
RFQ
VSD3913RDatenblatt - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 400 V 30A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

Ja. Nutzen Sie die Datasheet-Links in der Produktliste. Falls Unterlagen fehlen, können Sie uns für eine zusätzliche Prüfung kontaktieren.

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