Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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19TQ015STRL

19TQ015STRL

DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,611
RFQ
19TQ015STRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 15 V 19A 360 mV @ 19 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 15 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 125°C
19TQ015STRR

19TQ015STRR

DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,955
RFQ
19TQ015STRRDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 15 V 19A 360 mV @ 19 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 15 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 125°C
CBR08P65D

CBR08P65D

SIC SCHOTTKY DIODE,650V,8A,TO-25

Bruckewell

13
RFQ
CBR08P65DDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
RURG30120

RURG30120

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

onsemi

4,944
RFQ
RURG30120Datenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete Avalanche 1200 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
VS-30APF06-M3

VS-30APF06-M3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,857
RFQ
VS-30APF06-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-30APF12-M3

VS-30APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,452
RFQ
VS-30APF12-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-30APF02-M3

VS-30APF02-M3

DIODE SCHOTTKY 100V 3A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,690
RFQ
VS-30APF02-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Schottky 100 V 3A 790 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 100 V 115pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
VS-30APF04-M3

VS-30APF04-M3

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,095
RFQ
VS-30APF04-M3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-30EPF02-M3

VS-30EPF02-M3

DIODE GP 200V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,406
RFQ
VS-30EPF02-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-30EPF04-M3

VS-30EPF04-M3

DIODE GP 400V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,746
RFQ
VS-30EPF04-M3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
JANTXV1N4150-1

JANTXV1N4150-1

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Microchip Technology

3,512
RFQ
JANTXV1N4150-1Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/231 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N4371A/TR

1N4371A/TR

DIODE DO35

Microchip Technology

2,324
RFQ
1N4371A/TRDatenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active - - - 1.1 V @ 200 mA - - 75 µA @ 1 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -
1N4454UR-1/TR

1N4454UR-1/TR

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Microchip Technology

7,083
RFQ
1N4454UR-1/TRDatenblatt - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - - - Surface Mount DO-213AA -55°C ~ 175°C
CD4150V

CD4150V

DIODE GEN PURP 50V 200MA DIE

Microchip Technology

2,445
RFQ
CD4150VDatenblatt - Die Bulk Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Die -55°C ~ 175°C
UPS1040/TR13

UPS1040/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERMITE

Microchip Technology

4,975
RFQ
UPS1040/TR13Datenblatt - DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 10A 490 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 35 V 700pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
SICB10120Y-TP

SICB10120Y-TP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

7,541
RFQ
SICB10120Y-TPDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.54 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 13 µA @ 1200 V 700pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
VS-16FR40

VS-16FR40

DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,779
RFQ
VS-16FR40Datenblatt - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 16A 1.23 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
30CPF06

30CPF06

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,273
RFQ
30CPF06Datenblatt - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
30EPF06

30EPF06

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,027
RFQ
30EPF06Datenblatt - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
BYC60W-1200PQ

BYC60W-1200PQ

BYC60W-1200P/TO247-2L/STANDARD M

WeEn Semiconductors

4,320
RFQ
BYC60W-1200PQDatenblatt - TO-247-2 Bulk Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 96 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

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FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

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Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

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