Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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WNSC6D10650X6Q

WNSC6D10650X6Q

WNSC6D10650X/TO220F-2L/STANDARD

WeEn Semiconductors

2,760
RFQ
WNSC6D10650X6QDatenblatt - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220F -55°C ~ 175°C
DSS16-01AS-TRL

DSS16-01AS-TRL

DIODE SCHOTTKY 100V 16A TO263AA

IXYS

9,590
RFQ
DSS16-01AS-TRLDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 16A 790 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 100 V - - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
CRNB25-1200PT

CRNB25-1200PT

DIODE GP 1.2KV 15.9A TO220AB

Sensata-Crydom

5,670
RFQ
CRNB25-1200PTDatenblatt - TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 15.9A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AB -40°C ~ 125°C
TPAU3D S1G

TPAU3D S1G

DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A

Taiwan Semiconductor Corporation

5,582
RFQ
TPAU3D S1GDatenblatt - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Avalanche 200 V 3A 1.88 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 200 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount TO-277A (SMPC) -55°C ~ 175°C
TPAU3G S1G

TPAU3G S1G

DIODE AVALANCHE 400V 3A TO277A

Taiwan Semiconductor Corporation

8,898
RFQ
TPAU3G S1GDatenblatt - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Avalanche 400 V 3A 1.88 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 400 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount TO-277A (SMPC) -55°C ~ 175°C
VS-STPS30L60CW-N3

VS-STPS30L60CW-N3

DIODE SCHOTTKY 60V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,747
RFQ
VS-STPS30L60CW-N3Datenblatt - TO-247-3 Tube Active Schottky 60 V 30A 800 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 480 µA @ 60 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
IDK05G65C5XTMA2

IDK05G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 5A TO263-2

Infineon Technologies

4,039
RFQ
IDK05G65C5XTMA2Datenblatt CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 830 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
SD200SA30B.T2

SD200SA30B.T2

DIODE SCHOTTKY 30V 60A DIE

SMC Diode Solutions

4,957
RFQ
SD200SA30B.T2Datenblatt - Die Tray Active Schottky 30 V 60A 530 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 30 V 3300pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount Die -55°C ~ 150°C
SD200SA60B.T2

SD200SA60B.T2

DIODE SCHOTTKY 60V 60A DIE

SMC Diode Solutions

2,666
RFQ
SD200SA60B.T2Datenblatt - Die Tray Active Schottky 60 V 60A 680 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 60 V 2400pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount Die -55°C ~ 150°C
BYC30W-600PT2-AQ

BYC30W-600PT2-AQ

BYC30W-600PT2-A/TO247-2L/STANDAR

WeEn Semiconductors

4,460
RFQ
BYC30W-600PT2-AQDatenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 54 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
VS-E5PX7606L-N3

VS-E5PX7606L-N3

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,301
RFQ
VS-E5PX7606L-N3Datenblatt - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 2.3 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 96 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-8EWS16STRL-M3

VS-8EWS16STRL-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,127
RFQ
VS-8EWS16STRL-M3Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1600 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
VS-8EWS16STRR-M3

VS-8EWS16STRR-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,734
RFQ
VS-8EWS16STRR-M3Datenblatt FRED Pt® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1600 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

onsemi

2,290
RFQ
ISL9R860S3STDatenblatt Stealth™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Avalanche 600 V 8A 2.4 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
RB075B40STL

RB075B40STL

DIODE SCHOTTKY 40V 5A CPD

Rohm Semiconductor

2,247
RFQ
RB075B40STLDatenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 5A 750 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 40 V - - - Surface Mount CPD 150°C (Max)
1N4154

1N4154

DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35

Microchip Technology

2,366
RFQ
1N4154Datenblatt - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 35 V 200mA 1 V @ 30 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2 ns 100 nA @ 25 V 4pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
BYC8B-600PJ

BYC8B-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

WeEn Semiconductors

3,091
RFQ
BYC8B-600PJDatenblatt - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 3.4 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 20 µA @ 600 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
TPAR3G S1G

TPAR3G S1G

DIODE AVALANCHE 400V 3A TO277A

Taiwan Semiconductor Corporation

6,355
RFQ
TPAR3G S1GDatenblatt - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Avalanche 400 V 3A 1.55 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 10 µA @ 400 V 58pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount TO-277A (SMPC) -55°C ~ 175°C
NRVBS360BT3G-VF01

NRVBS360BT3G-VF01

DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMB

onsemi

4,504
RFQ
NRVBS360BT3G-VF01Datenblatt - DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 4A 630 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 60 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount SMB -65°C ~ 175°C
CD4454

CD4454

DIODE GEN PURP 50V 200MA DIE

Microchip Technology

9,457
RFQ
CD4454Datenblatt - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - - - Surface Mount Die -55°C ~ 175°C

Kategorieübersicht

Einzeldioden Produkte und Auswahlhilfe

Einzeldioden werden in Industrieautomation, Automobilelektronik, Kommunikationstechnik, Unterhaltungselektronik, erneuerbaren Energien und vielen weiteren elektronischen Systemen eingesetzt. Wir bieten Produkte verschiedener Hersteller, Gehäuseformen und Spezifikationen zur einfachen Auswahl und Beschaffung.

Filtern Sie Einzeldioden nach Hersteller, wichtigen Parametern, Verfügbarkeit und Datasheet. Wenn das gewünschte Modell nicht aufgeführt ist, senden Sie uns eine Anfrage. Wir unterstützen Sie bei Verfügbarkeit, Lieferzeit und möglichen Alternativen.

FAQ

Wie wähle ich den passenden Einzeldioden aus?

Prüfen Sie zuerst elektrische Parameter, Gehäuse, Betriebstemperatur, Einsatzbedingungen und Herstelleranforderungen. Danach können Verfügbarkeit und Lieferzeit verglichen werden.

Kann ich anhand des angezeigten Lagerbestands direkt bestellen?

Bestände können sich ändern. Für Projekt- oder Mengenbedarf empfehlen wir eine Anfrage zur Bestätigung von aktuellem Bestand, Preis und Lieferzeit.

Was kann ich tun, wenn die gewünschte Teilenummer nicht gelistet ist?

Senden Sie uns Teilenummer und benötigte Menge. Wir können schwer verfügbare Teile prüfen und passende Alternativen anhand der Spezifikationen vorschlagen.

Sind Datasheets und technische Unterlagen verfügbar?

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