Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

Alles zurücksetzen
Alles anwenden
Ergebnis
Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
IV1D06006O2

IV1D06006O2

DIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220

Inventchip

132
RFQ
IV1D06006O2Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 17.4A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 212pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D06006P3

IV1D06006P3

DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3

Inventchip

2,481
RFQ
IV1D06006P3Datenblatt - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16.7A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 224pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-3 -55°C ~ 175°C
IV1D12005O2

IV1D12005O2

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2

Inventchip

164
RFQ
IV1D12005O2Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 320pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12010O2

IV1D12010O2

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2

Inventchip

190
RFQ
IV1D12010O2Datenblatt - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12010T2

IV1D12010T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

Inventchip

107
RFQ
IV1D12010T2Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12015T2

IV1D12015T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2

Inventchip

120
RFQ
IV1D12015T2Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 44A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V 888pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12020T2

IV1D12020T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Inventchip

110
RFQ
IV1D12020T2Datenblatt - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1114pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
Masstock Electronics

Suchen

Masstock Electronics

Produkte

Masstock Electronics

Telefon

Masstock Electronics

Benutzer

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics