Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Foto Herst.-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
IRD3CH11DF6

IRD3CH11DF6

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Infineon Technologies

7,637
RFQ
IRD3CH11DF6Datenblatt - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IRD3CH16DF6

IRD3CH16DF6

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Infineon Technologies

7,905
RFQ
IRD3CH16DF6Datenblatt - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IRD3CH24DF6

IRD3CH24DF6

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Infineon Technologies

6,613
RFQ
IRD3CH24DF6Datenblatt - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IRD3CH31DF6

IRD3CH31DF6

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Infineon Technologies

7,352
RFQ
IRD3CH31DF6Datenblatt - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IRD3CH53DB6

IRD3CH53DB6

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE

Infineon Technologies

6,919
RFQ
IRD3CH53DB6Datenblatt - Die Bulk Obsolete Standard 1200 V 100A 2.7 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 20 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 150°C
IRD3CH53DF6

IRD3CH53DF6

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Infineon Technologies

2,541
RFQ
IRD3CH53DF6Datenblatt - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IRD3CH5DB6

IRD3CH5DB6

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE

Infineon Technologies

5,947
RFQ
IRD3CH5DB6Datenblatt - Die Bulk Obsolete Standard 1200 V 5A 2.7 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 96 ns 100 nA @ 1200 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 150°C
IRD3CH82DF6

IRD3CH82DF6

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Infineon Technologies

4,112
RFQ
IRD3CH82DF6Datenblatt - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IRD3CH9DB6

IRD3CH9DB6

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE

Infineon Technologies

8,722
RFQ
IRD3CH9DB6Datenblatt - Die Bulk Obsolete Standard 1200 V 10A 2.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 154 ns 200 nA @ 1200 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 150°C
IRD3CH9DF6

IRD3CH9DF6

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Infineon Technologies

5,274
RFQ
IRD3CH9DF6Datenblatt - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
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